高純硅生產(chǎn)流程如下:

(1)由SiO2制粗硅的化學(xué)方程式是       ,該反應(yīng)不能說明碳的非金屬性強(qiáng)于硅,原因是       ,請寫出一個(gè)能說明碳的非金屬性強(qiáng)于硅的化學(xué)方程式       。
(2)900℃以上,H2與SiHCl3發(fā)生反應(yīng):SiHCl3(g)+ H2(g)Si(s) + 3HCl(g)  ΔH>0。將一定量的反應(yīng)物通入固定容積的密閉容器中進(jìn)行反應(yīng)。下列說法正確的是      (填字母)。
a.在恒溫條件下,若容器內(nèi)壓強(qiáng)不變,則該反應(yīng)一定達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)
b.增大SiHCl3的用量,可提高SiHCl3的平衡轉(zhuǎn)化率
c.升高溫度可加快反應(yīng)速率,且提高硅的產(chǎn)率
(3)該流程中可以循環(huán)使用的物質(zhì)是       
(1)SiO2+2CSi+2CO↑;非金屬性是指非金屬元素的單質(zhì)在化學(xué)反應(yīng)中得到電子的能力,而碳與二氧化硅反應(yīng)所表現(xiàn)出來的是碳失去電子的能力(或還原性),因此不能說明碳的非金屬性比硅強(qiáng);Na2SiO3+2CO2+2H2O=2NaHCO3+H4SiO4↓或CO2+Na2SiO3+H2O=H2SiO3↓+Na2CO3
(2)a c  (3)HCl、H2

試題分析:(1)SiO2+2CSi+2CO↑;非金屬性是指非金屬元素的單質(zhì)在化學(xué)反應(yīng)中得到電子的能力,而碳與二氧化硅反應(yīng)所表現(xiàn)出來的是碳失去電子的能力(或還原性),因此不能說明碳的非金屬性比硅強(qiáng);Na2SiO3+2CO2+3H2O=2NaHCO3+H4SiO4↓或CO2+Na2SiO3+H2O=H2SiO3↓+Na2CO3
(2)從化學(xué)方程式來看,氣體反應(yīng)物和氣體生成物的化學(xué)計(jì)量數(shù)不相等,即是一個(gè)氣體體積在反應(yīng)前后存在變化的化學(xué)反應(yīng),壓強(qiáng)在反應(yīng)過程中也存在變化,當(dāng)不再變化時(shí),說明達(dá)到平衡,a正確;增大SiHCl3的用量,可提高H2的平衡轉(zhuǎn)化率,SiHCl3的平衡轉(zhuǎn)化率反而減小。b錯(cuò)誤;該反應(yīng)正反應(yīng)方向是吸熱反應(yīng),升高溫度向著吸熱反應(yīng)的方進(jìn)行,平衡右移,c正確。(3)HCl、H2
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

已知A、B、C、D、E、F、G、H可以發(fā)生如圖所示的轉(zhuǎn)化,反應(yīng)中部分生成物已略去。其中,A、G為同一主族元素的單質(zhì),B、C、H在通常情況下為氣體,化合物C是一種形成酸雨的大氣污染物。

請完成以下填空:
(1)H的名稱是________。
(2)E的兩種用途是________、________。
(3)反應(yīng)③的化學(xué)方程式是________。
(4)反應(yīng)④的離子方程式是________。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

硅及其化合物在材料領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛。下列說法正確的是
A.硅酸鈉可用于制備木材防火劑B.硅單質(zhì)廣泛用于光纖通訊
C.利用鹽酸刻蝕石英制作藝術(shù)品D.水晶項(xiàng)鏈?zhǔn)枪杷猁}制品

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列有關(guān)二氧化硅的敘述中不正確的是
A.沙子、石英、水晶的主要成分都是SiO2
B.SiO2是制光導(dǎo)纖維的主要原料
C.硅酸可由SiO2直接制得
D.SiO2是酸性氧化物,一定條件下可與堿性氧化物或堿反應(yīng)

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

將過量的CO2分別通入①CaC12溶液;②Na2SiO3溶液;③Ca(C1O)2溶液;④飽和Na2CO3溶液。最終溶液中有白色沉淀析出的是
A.①②③④B.②④C.①②③D.②③

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

硅被譽(yù)為無機(jī)非金屬材料的主角。下列物品用到硅單質(zhì)的是
A.陶瓷餐具B.石英鐘表C.計(jì)算機(jī)芯片D.光導(dǎo)纖維

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

硅是信息產(chǎn)業(yè)、太陽能電池光電轉(zhuǎn)化的基礎(chǔ)材料。鋅還原四氯化硅是一種有著良好應(yīng)用前景的制備硅的方法,該制備過程示意如下:          

(1)焦炭在過程Ⅰ中作______劑。
(2)過程Ⅱ中的Cl2用電解飽和食鹽水制備,制備Cl2的化學(xué)方程式是    。
(3)整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水。
①SiCl4遇水劇烈水解生成SiO2和一種酸,反應(yīng)的化學(xué)方程式是     
②干燥Cl2時(shí),從有利于充分干燥和操作安全的角度考慮,需將約90℃的潮濕氯氣先冷卻至12℃,然后再通入到濃H2SO4中。冷卻的作用是    
(4)Zn還原SiCl4的反應(yīng)如下:
反應(yīng)1: 400℃~756℃ ,SiCl4(g) + 2Zn(l)  Si(s) + 2ZnCl2(l)   ΔH1 <0 
反應(yīng)2:  756℃~907℃ ,SiCl4(g) + 2Zn(l)  Si(s) + 2ZnCl2(g)  ΔH2 <0 
反應(yīng)3:  907℃~1410℃,SiCl4(g) + 2Zn(g)  Si(s) + 2ZnCl2(g)  ΔH3 <0 
① 對于上述三個(gè)反應(yīng),下列說法合理的是_____。
a.升高溫度會(huì)提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率      b.還原過程需在無氧的氣氛中進(jìn)行
c.增大壓強(qiáng)能提高反應(yīng)的速率         d.Na、Mg可以代替Zn還原SiCl4
② 實(shí)際制備過程選擇“反應(yīng)3”,選擇的理由是    。
③ 已知Zn(l)=Zn(g)  ΔH =" +116" KJ/mol 。若SiCl4的轉(zhuǎn)化率均為90%,每投入1mol SiCl4,“反應(yīng)3”比“反應(yīng)2”多放出_____kJ的熱量。
(5)用硅制作太陽能電池時(shí),為減弱光在硅表面的反射,采用化學(xué)腐蝕法在其表面形成粗糙的多孔硅層。腐蝕劑常用稀HNO3和HF的混合液。硅表面首先形成SiO2,最后轉(zhuǎn)化為H2SiF6。用化學(xué)方程式表示SiO2轉(zhuǎn)化為H2SiF6的過程     

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列敘述中正確的是(  )
A.石英沙、水晶的主要成分都是SiO2
B.SiO2是制光導(dǎo)纖維的主要原料
C.石灰石是制普通玻璃、水泥的原料之一
D.SiO2與水反應(yīng)直接制得硅酸

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

二氧化碳固體俗稱干冰,下列說法正確的是
A.二氧化碳分子不可再分
B.干冰由碳和氧兩種元素組成
C.二氧化碳分子由碳原子和氧氣分子構(gòu)成
D.二氧化碳分子是保持干冰化學(xué)性質(zhì)的最小微粒

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