Question

（2012?山東模擬）現(xiàn)有部分前四周期元素的性質(zhì)或原子結構如下表：

元素編號	元素性質(zhì)或原子結構
A	第三周期中的半導體材料
B	L層s電子數(shù)比p電子數(shù)少1
C	屬于第二周期，原子中有2個未成對電子
D	前四周期呀中其未成對電子數(shù)最多

（1）B單質(zhì)分子中，含有

1

個σ鍵和

2

個π鍵，元素B的氣態(tài)氫化物的空間型為

三角錐型

．
（2）若C是固體，C單質(zhì)的熔點

高于

A單質(zhì)的熔點（填“高于”或“低于”），若C的單質(zhì)是氣體，A與C形成的化合的晶體類型是

原子晶體

．
（3）寫出元素D基態(tài)原子的電子排布式：

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁵4s¹

．

Answer 1

分析：A是第三周期中的半導體材料，故A為Si元素；B元素原子L層s電子數(shù)比p電子數(shù)少1，則外圍電子排布為2s²2p³，故B為氮元素；C屬于第二周期，原子中有2個未成對電子，則外圍電子排布為2s²2p²，或則外圍電子排布為2s²2p⁴，故C為碳元素或氧元素；前四周期中其未成對電子數(shù)最多，則外圍電子排布為3d⁵4s¹，核外電子數(shù)為24，為Cr元素，據(jù)此解答．

解答：解：A是第三周期中的半導體材料，故A為Si元素；B元素原子L層s電子數(shù)比p電子數(shù)少1，則外圍電子排布為2s²2p³，故B為氮元素；C屬于第二周期，原子中有2個未成對電子，則外圍電子排布為2s²2p²，或則外圍電子排布為2s²2p⁴，故C為碳元素或氧元素；前四周期中其未成對電子數(shù)最多，則外圍電子排布為3d⁵4s¹，核外電子數(shù)為24，D為Cr元素，
（1）氮氣分子中氮原子之間形成N≡N三鍵，含有1個σ鍵、2個π鍵，元素B的氣態(tài)氫化物為NH₃，分子中氮原子成3個N-H鍵，氮原子含有1對孤對電子，故為三角錐型，
故答案為：1；2；三角錐型；
（2）若C是固體，則C為碳元素，C-C鍵鍵長小于Si-Si鍵鍵長，故碳的單質(zhì)熔點高于硅單質(zhì)．若C的單質(zhì)是氣體，則C為氧元素，氧氣與硅形成的化合物二氧化硅屬于原子晶體，故答案為：高于；原子晶體；
（3）D為Cr元素，外圍電子排布為3d⁵4s¹，則Cr元素基態(tài)原子的電子排布式：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁵4s¹，故答案為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁵4s¹．

點評：本題考查結構性質(zhì)位置關系、分子結構與化學鍵、晶體類型與性質(zhì)、核外電子排布規(guī)律等，難度不大，注意基礎知識的理解掌握．