Question

【題目】工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制取：SiCl4(g)＋2H2(g)Si(s)＋4HCl(g)，有關(guān)化學鍵的鍵能數(shù)據(jù)如表所示：

化學鍵	Si—Cl	H—H	H—Cl	Si—Si	Si—C
鍵能kJ/mol	360	436	431	176	347

下列說法正確的是（ ）

A.反應(yīng)中的能量變化與物質(zhì)的狀態(tài)無關(guān)

B.像這樣需要加熱才能進行的反應(yīng)都是吸熱反應(yīng)

C.晶體硅比SiC更穩(wěn)定

D.該反應(yīng)中每生成1molSi(s)吸收的能量為236kJ

Answer 1

【答案】D

【解析】

A．化學反應(yīng)中的能量變化與物質(zhì)的狀態(tài)有關(guān)，能量：氣態(tài)>液態(tài)>固態(tài)，A錯誤；

B．吸熱反應(yīng)與放熱反應(yīng)與反應(yīng)條件無關(guān)，氫氧化鋇晶體與氯化銨常溫下反應(yīng)，該反應(yīng)為吸熱反應(yīng)，B錯誤；

C．晶體硅和SiC都是原子晶體，同主族，從上到下，原子半徑增大，原子半徑：Si>C，則硅碳之間的鍵長小于硅硅之間的鍵長，鍵長越短，越穩(wěn)定，所以SiC比晶體硅更穩(wěn)定，C錯誤；

D． H=反應(yīng)物的總鍵能-生成物的總鍵能，根據(jù)SiCl4(g)＋2H2(g)Si(s)＋4HCl(g)，H=（360×4+436×2-176×2-431×4）kJ/mol=+236kJ/mol，所以每生成1molSi(s)吸收的能量為236kJ，D正確；

故答案為：D。