碳化硅SiC的一種晶體具有類似金剛石的結(jié)構(gòu),其中C原子和S原子的位置是交替的.在下列三種晶體、俳饎偸、诰w硅、厶蓟柚校鼈兊娜埸c從高到低的順序是 | |
A. |
①③② |
B. |
②③① |
C. |
③①② |
D. |
②①③ |
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
2004年9月3日英國《自然》雜志報道,碳化硅是已知最硬的物質(zhì)之一,其單晶體可制作半導(dǎo)體材料。但正是由于它硬度高,熔化及鍛制的過程相當(dāng)費勁,而且制成的晶片容易產(chǎn)生瑕疵,如雜質(zhì)、氣泡等,這些物質(zhì)會嚴(yán)重影響或削弱電流。因此,碳化硅一直無法被用來制造芯片。日本研究人員稱,他們找到了鍛制碳化硅晶體的新方法,使碳化硅晶片成本低、用途廣、性能更可靠。下列有關(guān)碳化硅(SiC)的有關(guān)說法錯誤的是
A. 晶體硅和晶體碳化硅都是原子晶體
B. 碳化硅是一種新型的無機非金屬材料
C. 碳化硅的熔點比晶體硅高
D. 制取碳化硅的反應(yīng):SiO2+3CSiC+2CO↑中,SiO2是氧化劑,C是還原劑
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