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超臨界流體是介于氣態(tài)和液態(tài)之間的一種新的狀態(tài)。目前應用最廣的是超臨界二氧化碳，在化學工業(yè)上可取代氟利昂等溶劑、發(fā)泡劑。下列有關(guān)超臨界二氧化碳的說法中錯誤的是（）

A．超臨界二氧化碳由CO₂分子構(gòu)成

B．超臨界二氧化碳是新合成的一種物質(zhì)

C．用超臨界二氧化碳溶解物質(zhì)后，可在常溫常壓下使二氧化碳揮發(fā)除去

D．用超臨界二氧化碳代替氟利昂可減輕對臭氧層的破壞

CO₂不是一種新合成的物質(zhì)，所以選項B是錯誤的；

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相關(guān)習題

科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

下列有關(guān)金屬的說法不正確的是

A．金屬的導電性、導熱性、延展性都與自由電子有關(guān)

B．六方最密和面心立方最密的原子堆積方式空間利用率最高

C．鈉晶胞結(jié)構(gòu)如下圖，鈉晶胞中每個鈉原子的配位數(shù)為6

D．溫度升高，金屬的導電性將變小

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

氮化碳晶體的硬度超過金剛石，是首屈一指的超硬新材料。氮化碳晶體結(jié)構(gòu)示意圖如下，
下列有關(guān)氮化碳的說法中，不正確的是（　）

A．氮化碳晶體屬于原子晶體

B．氮化碳中碳顯—4價，氮顯+3價

C．氮化碳的化學式為C₃N₄

D．每個碳原子與三個氮原子相連，每個氮原子與四個碳原子相連

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

下列說法正確的是：

A．極性分子可能是離子化合物，也可能是共價化合物。

B．晶體中只要有陽離子，就一定有陰離子，只要有陰離子，也一定有陽離子

C．在熔化狀態(tài)和水溶液中均不能導電的物質(zhì)稱為非電解質(zhì)

D．原子晶體熔點不一定比金屬晶體高，分子晶體熔點不一定比金屬晶體低

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

下列晶體中，不屬于原子晶體的是

A．干冰

B．水晶

C．晶體硅

D．金剛石

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

下列數(shù)據(jù)是對應物質(zhì)的熔點（單位：℃）

Na₂O	NaCl	AlF₃	AlCl₃	BCl₃	Al₂O₃	CO₂	SiO₂
920	801	1291	190	-107	2073	-57	1723

據(jù)此做出的下列判斷中，正確的是　　　　　　　　　　　　　　　( )
A、鋁的化合物晶體類型完全相同
B、原子晶體的熔點一定比離子晶體高
C、同族元素的氧化物一定形成相同類型的晶體
D、不同族元素的氧化物可形成相同類型的晶體

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

【化學－物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】（15分）
原子序數(shù)依次遞增的甲、乙、丙、丁、戊是周期表中前30號元素，其中甲、乙、丙三元素的基態(tài)原子2p能級都有單電子，單電子個數(shù)分別是2、3、2；丁與戊原子序數(shù)相差18，戊元素是周期表中ds區(qū)的第一種元素。回答下列問題：
（1）甲能形成多種常見單質(zhì)，在熔點較低的單質(zhì)中，每個分子周圍緊鄰的分子數(shù)為     ；在熔點很高的兩種常見單質(zhì)中，X的雜化方式分別為       、        。
（2）14g乙的單質(zhì)分子中π鍵的個數(shù)為___________。
（3）+1價氣態(tài)基態(tài)陽離子再失去一個電子形成+2價氣態(tài)基態(tài)陽離子所需要的能量稱為第
二電離能I₂，依次還有I₃、I₄、I₅…，推測丁元素的電離能突增應出現(xiàn)在第       電離能。
（4）戊的基態(tài)原子有       種形狀不同的原子軌道；
（5）丙和丁形成的一種離子化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，該晶體中陽離子的配位數(shù)為         。距一個陰離子周圍最近的所有陽離子為頂點構(gòu)成的幾何體為              。已知該晶胞的密度為ρ g/cm³，阿伏加德羅常數(shù)為N_A，求晶胞邊長a=__________cm。 (用含ρ、N_A的計算式表示)