晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅。
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3: Si + 3HCl SiHCl3 + H2
③ SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅。
已知SiHCl3能與H2O強烈反應(yīng),在空氣中易自燃。
請回答下列問題:
(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為 。
(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點33.0℃)中含有少量
SiCl4(沸點57.6℃)和HCl(沸點-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為:
。
(3)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):
①裝置B中的試劑是 ,裝置C中的燒瓶需要加熱,
其目的是: 。
②裝置D不能采用普通玻璃管的原因是 ,
裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。
③為保證制備純硅實驗的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實驗裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及 。
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解
A-B | A=B | A≡B | ||
CO | 鍵能(kJ?mol-1) | 357.7 | 798.9 | 1071.9 |
鍵能差值(kJ?mol-1) | 441.2 273 | |||
N2 | 鍵能(kJ?mol-1) | 154.8 | 418.3 | 941.7 |
鍵能差值(kJ?mol-1) | 263.6 523.3 |
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科目:高中化學(xué) 來源:2011-2012學(xué)年河北省高三上學(xué)期第二次月考化學(xué)試卷 題型:選擇題
甲、乙、丙是三種常見單質(zhì),X、Y、Z是常見化合物,他們之間有如下轉(zhuǎn)化關(guān)系:
已知甲是短周期金屬單質(zhì),乙、丙是短周期非金屬單質(zhì),X、Y、Z中只有一種是離子晶體。下列說法不正確的是
A.X是具有極性鍵的非極性分子 B.Z是水煤氣的主要成分之一
C.甲和X的反應(yīng)是吸熱反應(yīng) D.丙是生產(chǎn)硅的重要原料
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科目:高中化學(xué) 來源:2011年福建省福州三中高考化學(xué)練習(xí)試卷(解析版) 題型:解答題
A-B | A=B | A≡B | ||
CO | 鍵能 | 357.7 | 798.9 | 1071.9 |
鍵能差值 | 441.2 273 | |||
N2 | 鍵能 | 154.8 | 418.3 | 941.7 |
鍵能差值 | 263.6 523.3 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
甲、乙、丙是三種常見單質(zhì),X、Y、Z是常見化合物,他們之間有如下轉(zhuǎn)化關(guān)系:
已知甲是短周期金屬單質(zhì),乙、丙是短周期非金屬單質(zhì),X、Y、Z中只有一種是離子晶體。下列說法不正確的是
A.X是具有極性鍵的非極性分子 B.Z是水煤氣的主要成分之一
C.甲和X的反應(yīng)是吸熱反應(yīng) D.丙是生產(chǎn)硅的重要原料
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科目:高中化學(xué) 來源:2012屆河北省三河一中高三上學(xué)期第二次月考化學(xué)試卷 題型:單選題
甲、乙、丙是三種常見單質(zhì),X、Y、Z是常見化合物,他們之間有如下轉(zhuǎn)化關(guān)系:
已知甲是短周期金屬單質(zhì),乙、丙是短周期非金屬單質(zhì),X、Y、Z中只有一種是離子晶體。下列說法不正確的是
A.X是具有極性鍵的非極性分子 | B.Z是水煤氣的主要成分之一 |
C.甲和X的反應(yīng)是吸熱反應(yīng) | D.丙是生產(chǎn)硅的重要原料 |
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