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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:閱讀理解
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T/℃ | 200 | 300 | 400 |
K | K1 | K2 | 0.5 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:學(xué)習(xí)周報(bào) 化學(xué) 人教課標(biāo)高二版(選修4) 2009-2010學(xué)年 第5期 總第161期 人教課標(biāo)版(選修4) 題型:013
在一定條件下,合成氨反應(yīng): N2(g)+3H2(g)2NH3(g)達(dá)到平衡狀態(tài),此時(shí)再進(jìn)行如下操作,平衡不發(fā)生移動(dòng)的是 | |
[ ] | |
A. |
恒溫、恒壓時(shí),充入 NH3 |
B. |
恒溫、恒容時(shí),充入 N2 |
C. |
恒溫、恒壓時(shí),充入 He |
D. |
恒溫、恒容時(shí),充入 He |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2012-2013學(xué)年四川成都棠湖中學(xué)外語(yǔ)實(shí)驗(yàn)學(xué)校高二5月月考化學(xué)卷(帶解析) 題型:填空題
碳化硅(SiC) 、氧化鋁(Al2O3) 和氮化硅(Si3N4)是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。宇宙火箭和導(dǎo)彈中,大量用鈦代替鋼鐵。
(1)Al的離子結(jié)構(gòu)示意圖為 ;
Al與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式為
(2)氮化硅抗腐蝕能力很強(qiáng),但易被氫氟酸腐蝕,氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽,
其反應(yīng)方程式為
(3)工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,其反應(yīng)如下:
3SiCl4(g) + x N2(g) + 6 H2(g) Si3N4(s) + 12 HCl(g) △H<0
在恒溫、恒容時(shí),分別將0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2 L密閉容器內(nèi),進(jìn)行上述反應(yīng),5 min達(dá)到平衡狀態(tài),所得HCl(g)為0.3mol/L、 N2為0.05 mol/L
① H2的平均反應(yīng)速率是
② 反應(yīng)前與達(dá)到平衡時(shí)容器內(nèi)的壓強(qiáng)之比=
③ 系數(shù) x =
(4)已知:TiO2(s)+2Cl2(g)===TiCl4(l)+O2(g) ΔH1=+140 kJ·mol-1
C(s)+O2(g)=== CO(g) ΔH2 =-110 kJ·mol-1
寫(xiě)出TiO2和焦炭、氯氣反應(yīng)生成TiCl4和CO氣體的熱化學(xué)方程式:
。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2014屆四川成都棠湖中學(xué)外語(yǔ)實(shí)驗(yàn)學(xué)校高二5月月考化學(xué)卷(解析版) 題型:填空題
碳化硅(SiC) 、氧化鋁(Al2O3) 和氮化硅(Si3N4)是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。宇宙火箭和導(dǎo)彈中,大量用鈦代替鋼鐵。
(1)Al的離子結(jié)構(gòu)示意圖為 ;
Al與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式為
(2)氮化硅抗腐蝕能力很強(qiáng),但易被氫氟酸腐蝕,氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽,
其反應(yīng)方程式為
(3)工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅,其反應(yīng)如下:
3SiCl4(g) + x N2(g) + 6 H2(g) Si3N4(s) + 12 HCl(g) △H<0
在恒溫、恒容時(shí),分別將0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2 L密閉容器內(nèi),進(jìn)行上述反應(yīng),5 min達(dá)到平衡狀態(tài),所得HCl(g)為0.3mol/L、 N2為0.05 mol/L
① H2的平均反應(yīng)速率是
② 反應(yīng)前與達(dá)到平衡時(shí)容器內(nèi)的壓強(qiáng)之比=
③ 系數(shù) x =
(4)已知:TiO2(s)+2Cl2(g)===TiCl4(l)+O2(g) ΔH1=+140 kJ·mol-1
C(s)+O2(g)=== CO(g) ΔH2 =-110 kJ·mol-1
寫(xiě)出TiO2和焦炭、氯氣反應(yīng)生成TiCl4和CO氣體的熱化學(xué)方程式:
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