【題目】N、Ga元素因其在生產(chǎn)、生活和科研領(lǐng)域的重要作用而備受關(guān)注。

請回答下列問題:

(1)基態(tài)Ga原子中含有___________________種能量不同的電子,其中能量最高的電子的電子云輪廓圖的形狀為_________________________。

(2)Ga單質(zhì)有晶體和玻璃體兩種形態(tài)區(qū)別二者最可靠的科學方法為_____________________。

(3)Ga分別與N、P、AS形成化合物的晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似,其熔點如下表所示:

物質(zhì)

GaN

GaP

GaAs

熔點/℃

1700

1465

1238

①從結(jié)構(gòu)的角度分析,三種晶體熔點不同的原因為____________________________________

GaN晶體中含有的化學鍵類型為______________(填選項字母)。

A.離子鍵 B.配位鍵 C.σ D.π E.氫鍵

GaP的晶胞結(jié)構(gòu)可看作金剛石晶胞內(nèi)部的碳原子被P原子代替頂點和面心的碳原子被Ga原子代替。若GaP晶體的密度為pg·cm-3阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則晶胞中GaP原子的最近距離為____________nm。

(4)第二周期元素中,基態(tài)原子的第一電離能大于基態(tài)氮原子的有__________種。

(5)NaNH2是一種重要的工業(yè)原料。

鈉元素的焰色反應(yīng)為黃色。很多金屬元素能產(chǎn)生焰色反應(yīng)的微觀原因為___________________。

NH2-中氮原子的雜化方式為_____________;該離子的空間構(gòu)型為________________。

③寫出與NH2-互為等電子體的分子的化學式____________________(任寫一種)。

【答案】8 啞鈴形(或紡錘形) X-射線衍射實驗 三種晶體均為原子晶體,N、P、As原子半徑增大,鍵長增長,鍵能減小,熔點降低 BC 2 電子從較高能級的激發(fā)態(tài)躍遷到較低能級激發(fā)態(tài)乃至基態(tài)時,以光的形式釋放能量,形成焰色反應(yīng) sp3 V H2O、H2S(任寫一種)

【解析】

(1)基態(tài)Ga原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p1同能級電子的能量相同,故有8種能量不同的電子,其中能量最高的電子在4p能其軌道電子云輪廓圖的形狀為啞鈴形或紡錘形)。

(2)區(qū)分晶體和非晶體最科學的方法為X射線衍射實驗。

(3)①三種品體均為原子晶體,原子晶體的熔點高低受鍵能影響,隨著N、P、As原子半徑增大,鍵長增長,鍵能減小,熔點降低②原子晶體中不含離子健和π氫鍵不屬于化學鍵,A、D、E項錯誤;根據(jù)Ga原子和N原子的結(jié)構(gòu)特點,GaN晶體的σ鍵中,部分為兩種原子形成的配位鍵,B、C項正確。品胞中GaP原子的最近距離為晶胞體對角線的1/4, 設(shè)GaP原子的最近距離為b cm,晶參數(shù)為a cm,可得b= cm,a=4 b cm;每個晶胞3中含有Ga原子和P原子數(shù)目均為4則晶體密度g/cm-3

(4)同周期元素基態(tài)原子的第一電離能從左到右有增大勢,其中第ⅡA族和AVA族和第A族反常,0族最大則第二周期元素中,基態(tài)原子的第一電離能大于基態(tài)氮原子的有2。

(5)焰色反應(yīng)的本質(zhì)原因是電子躍遷,NH2-N原子的價層電子對數(shù)目為4,故氮原子的雜化方式為sp2,空間構(gòu)型為V。根據(jù)等電子體的含義可知NH2-的等電子體的分子有H2O、H2S

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①金剛石、晶體硅、碳化硅的熔點由高到低的排列順序是________________(用化學式表示);

②金剛石的晶胞參數(shù)為a pm(1 pm=1012 m)。 金剛石晶胞的密度為_________g/cm3(只要求列算式,阿伏加德羅常數(shù)為NA)。

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