A. | 氧化性強(qiáng)弱順序?yàn)椋篨O4-<Z2<R2<M3+ | |
B. | 還原性強(qiáng)弱順序?yàn)椋篨2+<Z-<R-<M2+ | |
C. | Z元素在反應(yīng)①中被氧化,在③中被還原 | |
D. | 常溫下可發(fā)生反應(yīng)2M2++Z2═2M3++2Z- |
分析 依據(jù)氧化還原反應(yīng)強(qiáng)弱規(guī)律:氧化劑的氧化性大于氧化產(chǎn)物的氧化性解答.
解答 解:①16H++10Z-+2XO4-═2X2++5Z2+8H2O,反應(yīng)中XO4-是氧化劑,Z2是氧化產(chǎn)物,氧化性:XO4->Z2;還原劑是Z-,還原產(chǎn)物X2+,還原性:X2+<Z-;
②2M2++R2═2M3++2R-,反應(yīng)中R2是氧化劑,M3+是氧化產(chǎn)物,氧化性:R2>M3+;還原劑是Z-,還原產(chǎn)物X2+,還原性:M2+>R-;
③2R-+Z2═R2+2Z-,反應(yīng)中Z2是氧化劑,R2是氧化產(chǎn)物,氧化性:Z2>R2;還原劑是Z-,還原產(chǎn)物X2+,還原性:R->Z-;
所以氧化性強(qiáng)弱關(guān)系為:XO4->Z2>R2>M3+,還原性關(guān)系:X2+<Z-<R-<M2+,
A.所以氧化性強(qiáng)弱關(guān)系為:XO4->Z2>R2>M3+,故A錯(cuò)誤;
B.還原性關(guān)系:X2+<Z-<R-<M2+,故B正確;
C.Z元素在反應(yīng)①中做還原劑,被氧化,在③中做氧化劑,被還原,故C正確;
D.反應(yīng)2M2++Z2═2M3++2Z-中,Z2是氧化劑,M3+是氧化產(chǎn)物,氧化性Z2>M3+,符合題意,故D正確;
故選:A.
點(diǎn)評(píng) 本題考查了氧化性、還原性強(qiáng)弱比較,明確氧化還原反應(yīng)強(qiáng)弱規(guī)律,準(zhǔn)確判斷氧化劑、氧化產(chǎn)物、還原劑、還原產(chǎn)物是解題關(guān)鍵,題目難度不大.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | CO32- | B. | Ba2+ | C. | Ag+ | D. | Al3+ |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 除去苯中苯酚,加入溴水后過(guò)濾 | |
B. | 乙醛中含乙酸雜質(zhì),加入氫氧化鈉溶液洗滌,分液 | |
C. | 除去乙酸乙酯中乙酸,加入飽和NaOH溶液,振蕩?kù)o置后分液 | |
D. | 區(qū)別乙酸、乙醛、乙醇,加入新制的Cu(OH)2懸濁液加熱 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 水玻璃可作粘合劑及耐火材料 | B. | 硅可做半導(dǎo)體材料 | ||
C. | 二氧化硅是光導(dǎo)纖維的原料 | D. | 氮化硅陶瓷是做電子元件的材料 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 氫離子在銅片表面被還原 | B. | 銅片質(zhì)量逐漸減少 | ||
C. | 電流從鋅片經(jīng)導(dǎo)線流向銅片 | D. | 溶液中陽(yáng)離子移向鋅片 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 鹽類的水解過(guò)程破壞了純水的電離平衡 | |
B. | 鹽類的水解是酸堿中和反應(yīng)的逆反應(yīng) | |
C. | 鹽類的水解的結(jié)果使鹽溶液不一定呈中性 | |
D. | Na2CO3溶液中,c(Na+)是c(CO32-)的2倍 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 22.4L的N2和CO所含分子數(shù)均為NA | |
B. | 1.7g NH3中含有的電子數(shù)為NA | |
C. | 標(biāo)準(zhǔn)狀況下,11.2L H2O含有的分子數(shù)為0.5NA | |
D. | 含有NA個(gè)氦原子的氦氣在標(biāo)準(zhǔn)狀況下的體積約為11.2L |
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