第一電離能 | 離子半徑 | 熔點 | 酸性 |
P>S | H->Li+ | KCl<Si | HClO3<HClO4 |
分析 (1)根據(jù)核外電子排布規(guī)律書寫Cu原子的核外電子排布式,電子按能層高低進行失去,進而書寫Cu2+的外圍電子排布式;
乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)中N原子呈3個σ鍵,含有1對孤對電子,雜化軌道數(shù)為4;
由圖可知,Cu2+離子與N原子形成4個配位鍵;
(2)乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)分子之間可以形成氫鍵,但三甲胺[N(CH3)3]分子之間不能形成氫鍵;
(3)P元素原子3p能級容納3個電子,為半滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,第一電離能高于同周期相鄰元素;
電子層結構相同,核電荷數(shù)越大,離子半徑越;
原子晶體沸點高于離子晶體的熔沸點;
非羥基氧越多,含氧酸的酸性越強;
(4)A.a位置上Cl原子成2個單鍵(其中一個為配位鍵),含有2對孤對電子,雜化軌道數(shù)為4;
B.M的化學式為KCuCl3,其中銅元素為+2價,故化合物N中銅為+1價,陰離子構成與CuCl3一樣,但CuCl3原子團的化合價為-2;
C.Cu、Al均采取sp3雜化;
金屬銅單獨與氨水或單獨與過氧化氫都不能反應,而同時混合能反應,說明兩者能互相促進,這是兩種物質共同作用的結果:其中過氧化氫為氧化劑,氨與Cu2+形成配離子,兩者相互促進使反應進行,根據(jù)電荷守恒知還有OH-生成;
(5)根據(jù)均攤法計算晶胞中Fe原子數(shù)目,進而計算晶胞質量,令Fe原子半徑為r,對于體心立方堆積,體對角線上的原子相鄰,則晶胞棱長為$\frac{4r}{\sqrt{3}}$,對于面心立方堆積,面對角線上的3個Fe原子相鄰,則晶胞棱長為
4r×$\frac{\sqrt{2}}{2}$=2$\sqrt{2}$r,據(jù)此計算晶胞體積,再根據(jù)ρ=$\frac{m}{V}$表示出晶體密度,進而計算密度之比.
解答 解:(1)Cu原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1,故Cu2+的外圍電子排布式為3d9;
乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)中N原子呈3個σ鍵,含有1對孤對電子,雜化軌道數(shù)為4,采取sp3雜化;
由圖可知,Cu2+離子與N原子形成4個配位鍵,故配離子[Cu(En)2]2+中的配位數(shù)為4,
故答案為:3d9;sp3;4;
(2)乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)分子之間可以形成氫鍵,三甲胺[N(CH3)3]分子之間不能形成氫鍵,故乙二胺的沸點較高,
故答案為:乙二胺分子之間可以形成氫鍵,三甲胺分子之間不能形成氫鍵;
(3)P元素原子3p能級容納3個電子,為半滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,第一電離能高于同周期相鄰元素,故第一電離能P>S;
電子層結構相同,核電荷數(shù)越大,離子半徑越小,故離子半徑H->Li+;
KCl屬于離子晶體,Si屬于原子晶體,故熔點KCl<Si;
HClO3、HClO4非羥基氧數(shù)目分別為2、3,非羥基氧越多,含氧酸的酸性越強,故酸性HClO3<HClO4,
故答案為:>;>;<;<;
(4)A.a位置上Cl原子成2個單鍵,含有2對孤對電子,雜化軌道數(shù)為4,雜化軌道類型為:sp3,故錯誤;
B.M的化學式為KCuCl3,其中銅元素為+2價,故化合物N中銅為+1價,CuCl3原子團的化合價為-2,其化學式為:K2CuCl3,故正確;
C.配離子[CuCl4]2-和配離子[AlCl4]-配位數(shù)均為4,Cu、Al均采取sp3雜化,均為正四面體結構,故正確,
金屬銅單獨與氨水或單獨與過氧化氫都不能反應,而同時混合能反應,說明兩者能互相促進,這是兩種物質共同作用的結果:其中過氧化氫為氧化劑,氨與Cu2+形成配離子,兩者相互促進使反應進行,根據(jù)電荷守恒,還有氫氧根離子生成,反應離子方程式為:Cu+H2O2 +4NH3═Cu(NH3)42++2OH-,
故答案為:BC;Cu+H2O2 +4NH3═Cu(NH3)42++2OH-;
(5)令Fe原子半徑為r,F(xiàn)e原子摩爾質量為M,
對于體心立方堆積,體對角線上的原子相鄰,則晶胞棱長為$\frac{4r}{\sqrt{3}}$,晶胞中含有Fe原子數(shù)目為1+8×$\frac{1}{8}$=2,則晶胞質量為$\frac{4M}{{N}_{A}}$,設晶胞密度為$\frac{\frac{2M}{{N}_{A}}}{(\frac{4r}{\sqrt{3}})^{3}}$,
對于面心立方堆積,面對角線上的3個Fe原子相鄰,則晶胞棱長為4r×$\frac{\sqrt{2}}{2}$=2$\sqrt{2}$r,晶胞中含有Fe原子數(shù)目為8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,則晶胞質量為$\frac{4M}{{N}_{A}}$,設晶胞密度為$\frac{\frac{4M}{{N}_{A}}}{(2\sqrt{2}r)^{3}}$,
故ρ(a):ρ(b)=$\frac{\frac{2M}{{N}_{A}}}{(\frac{4r}{\sqrt{3}})^{3}}$:$\frac{\frac{4M}{{N}_{A}}}{(2\sqrt{2}r)^{3}}$=3$\sqrt{3}$:4$\sqrt{2}$,
故答案為:3$\sqrt{3}$:4$\sqrt{2}$.
點評 本題是對物質結構的考查,涉及核外電子排布、雜化方式、微粒構型、配合物、氫鍵、電離能、微粒半徑比較、晶體類型與熔沸點、分子性質、晶胞計算等,比較全面的考查物質結構主干知識,需要學生具備扎實的基礎、靈活運用知識的能力,(5)中計算為易錯點、難點,對學生的空間想象與數(shù)學計算能力有較高的要求,題目難度較大.
科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 晶體硅可用作制造太陽能電池和光導纖維 | |
B. | 用飽和氯化銨溶液可以清洗金屬表面的銹跡 | |
C. | “地溝油”禁止食用,但可用來制生物柴油和肥皂 | |
D. | 高鐵車廂大部分材料采用鋁合金,因鋁合金強度大、質量輕、抗腐蝕能力強 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 利用催化設施,可以將汽車尾氣中CO和NO轉化為無害氣體 | |
B. | 聚乙炔用I2或Na等做摻雜處理后可形成一種導電塑料,該導電塑料是一種純凈物,有固定的熔點?沸點 | |
C. | 先通入氯氣,再加入硫酸亞鐵處理水,能達到消毒殺菌和除去懸浮雜質的目的 | |
D. | 半導體行業(yè)中有一句話:“從沙灘到用戶”,計算機芯片的材料是硅 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 銀氨溶液或新制Cu(OH)2均能檢驗糖尿病人尿液中的葡萄糖 | |
B. | 在燃煤中加入適量生石灰,可以減少二氧化硫的排放 | |
C. | 銅制品在潮濕環(huán)境中的腐蝕比干燥環(huán)境中快 | |
D. | 生活中的水杯、奶瓶、食物保鮮膜等可以使用聚氯乙烯來制造 |
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科目:高中化學 來源: 題型:解答題
編 號 | ① | ② | ③ | ④ |
稀硝酸體積/mL | 100mL | 200mL | 300mL | 400mL |
剩余金屬/g | 18.0g | 9.6g | 0 | 0 |
NO體積/L(標準狀況下) | 2.24L | 4.48L | 6.72L | V |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 若CO的燃燒熱為△H3,則H2的燃燒熱為△H3-△H1 | |
B. | 反應CH4(g)+CO2(g)═2CO(g)+2H2(g)的△H=△H${\;}_{{\;}_{2}}$-△H1 | |
C. | 若反應②的反應物總能量低于生成物總能量,則△H2<0 | |
D. | 若等物質的量的CO和H2完全燃燒生成氣態(tài)產物時前者放熱更多,則△H1>0 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 該反應的逆反應△H>0 | |
B. | 增大反應物中CH3OCOOCH3的濃度能提高碳酸甲乙酯的平衡轉化率 | |
C. | 650℃,反應物配比為1:1時,平衡常數(shù)K=6 | |
D. | 當C2H5OCOOC2H5與CH3OCOOC2H5生成速率比為1:2時,反應達到平衡狀態(tài) |
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科目:高中化學 來源: 題型:解答題
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