【題目】下列解釋事實的化學(xué)用語錯誤的是
A.閃鋅礦(ZnS)經(jīng)CuSO4溶液作用后,轉(zhuǎn)化為銅藍(lán)(CuS):ZnS + Cu2+=CuS + Zn2+
B.0.1 mol/L 的醋酸溶液pH約為3:CH3COOH CH3COO- + H+
C.電解NaCl溶液,陰極區(qū)溶液pH增大:2H2O + 2e-=H2↑+ 2OH-
D.鋼鐵發(fā)生吸氧腐蝕,負(fù)極反應(yīng)為:Fe-3e-= Fe3+
【答案】D
【解析】
A.溶解度大的物質(zhì)可以轉(zhuǎn)化為溶解度小的物質(zhì),溶解度ZnS>CuS,則閃鋅礦(ZnS)經(jīng)CuSO4溶液作用后,轉(zhuǎn)化為銅藍(lán)(CuS),反應(yīng)的離子方程式為ZnS+Cu2+=CuS+Zn2+,故A正確;
B.0.1mol/L醋酸溶液的pH約為3,說明醋酸為弱酸,部分電離,電離方程式為CH3COOHCH3COO-+H+,故B正確;
C.電解NaCl溶液時,陰極上水得電子生成氫氣和氫氧根離子,離子方程式為2H2O+2e-=H2↑+2OH-,陰極區(qū)溶液pH增大,故C正確;
D.鋼鐵發(fā)生吸氧腐蝕時,負(fù)極上Fe失電子生成亞鐵離子,電極反應(yīng)式為Fe-2e-=Fe2+,故D錯誤;
故選D。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】四氯化錫(SnCl4)常作有機(jī)合成的催化劑,在空氣中極易水解生成SnO2·xH2O,實驗室用熔融的錫(熔點(diǎn)為231.9℃)與氯氣反應(yīng)來制備(同時有SnCl2生成),該反應(yīng)是放熱反應(yīng)?蛇x用的儀器及裝置如圖所示。
SnCl2、SnCl4有關(guān)物理性質(zhì)如表:
物質(zhì) | 顏色、狀態(tài) | 熔點(diǎn)/℃ | 沸點(diǎn)/℃ |
SnCl2 | 無色晶體 | 246 | 623 |
SnCl4 | 無色液體 | -33 | 114 |
(1)已知SnCl2、SnCl4晶體類型相同,SnCl2熔沸點(diǎn)高于SnCl4的原因是:___。
(2)選擇裝置進(jìn)行連接(填各接口的字母,裝置可重復(fù)使用,空格可不填滿)。___
a→__,__→__,__→__,__→__,__→__,__→__,__→__,__→__。
(3)反應(yīng)開始時,應(yīng)先點(diǎn)燃裝置___(填“A”或“B”,下同)的酒精燈,待___時,再點(diǎn)然裝置___的酒精燈,并在反應(yīng)進(jìn)行中仍持續(xù)加熱,其目的是___。
(4)該方法制得的SnCl4中含有少量SnCl2,提純SnCl4的實驗名稱是___。
(5)測定產(chǎn)品純度。取ag產(chǎn)品溶于少量濃鹽酸,加入蒸餾水稀釋至250mL。取20mL稀釋溶液于錐形瓶,滴加幾滴淀粉溶液,用cmol·L-1I2溶液滴定至終點(diǎn),消耗滴定溶液V mL。
①該產(chǎn)品中SnCl2含量為___%。(滴定反應(yīng):Sn2++I2=Sn4++2I-,SnCl2的相對分子質(zhì)量為:190)
②若操作時間過長、振蕩劇烈,測得產(chǎn)品中SnCl4含量__(填“偏高”或“偏低”或“無影響”)。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】SBP電解法能大幅度提高電解槽的生產(chǎn)能力,如圖為SBP電解法制備MoO3的示意圖,下列說法錯誤的是( )
A.a極為電源的負(fù)極,發(fā)生氧化反應(yīng)
B.電路中轉(zhuǎn)移4mol電子,則石墨電極上產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)狀況下22.4LO2
C.鈦基鈦錳合金電極發(fā)生的電極反應(yīng)為:3H2O+Mo4+-2e-=MoO3+6H+
D.電路中電子流向為:a極石墨,鈦基鈦錳電極b極
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】有A、B、C、D四種元素,其中A元素和B元素的原子都有1個未成對電子,A+比B-少一個電子層,B原子得一個電子填入3p軌道后,3p軌道已充滿;C原子的p軌道中有3個未成對電子,其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大;D的最高化合價和最低化合價的代數(shù)和為4,其最高價氧化物中含D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 40%,且其核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)。R是由A、D兩元素形成的離子化合物,其中A+與D2-離子數(shù)之比為2∶1;卮鹣铝袉栴}:
(1)A元素形成的晶體屬于A2密堆積型式,則其晶體內(nèi)晶胞類型應(yīng)屬于______(填寫“六方”、“面心立方”或“體心立方”)。
(2)B-的電子排布式為____________,在CB3分子中C元素原子的原子軌道發(fā)生的是___________雜化。
(3)C的氫化物的空間構(gòu)型為____________________,其氫化物在同族元素所形成的氫化物中沸點(diǎn)最高的原因是________________________。
(4)B元素的電負(fù)性_______D元素的電負(fù)性(填“>”、“<”或“=”);用一個化學(xué)方程式說明___________。
(5)如圖所示是R形成的晶體的晶胞,設(shè)晶胞的棱長為a cm。試計算R晶體的密度為_______。(阿伏加德羅常數(shù)用NA表示)
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】以苯酚為原料合成 的路線如圖所示。請按要求作答
(1)寫出苯酚制取A的有機(jī)物的有關(guān)反應(yīng)方程式:______。
(2)寫出以下物質(zhì)的結(jié)構(gòu)簡式:B__________,F____________。
(3)寫出反應(yīng)④的化學(xué)反應(yīng)方程式:④________,反應(yīng)類型:_____。
(4)反應(yīng)⑤可以得到E,同時可能得到的副產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)簡式為_______。
(5)寫出反應(yīng)⑦的反應(yīng)條件:__________,_________。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】高純度單晶硅是典型的無機(jī)非金屬材料,又稱“半導(dǎo)體”材料,它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計算機(jī)的一場“革命”。這種材料可以按下列方法制備:
SiO2Si(粗)SiHCl3Si(純),下列說法正確的是( )
A.步驟①的化學(xué)方程式為SiO2+CSi+CO2↑
B.步驟①、②、③中每生成或反應(yīng)1 mol Si,轉(zhuǎn)移4 mol電子
C.二氧化硅能與氫氟酸反應(yīng),而硅不能與氫氟酸反應(yīng)
D.SiHCl3(沸點(diǎn)33.0 ℃)中含有少量的SiCl4(沸點(diǎn)67.6 ℃),通過蒸餾(或分餾)可提純SiHCl3
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】工業(yè)上通過氮?dú)夂蜌錃夥磻?yīng)合成氨,氨經(jīng)一系列反應(yīng)可以得到硝酸。反應(yīng)歷程如下圖所示,下列說法不正確的是( )
A. 氨可用作制冷劑
B. 銨態(tài)氮肥一般不能與堿性化肥共同使用
C. 硝酸可用于制化肥、農(nóng)藥、炸藥、染料、鹽類等
D. 某濃硝酸中含有溶質(zhì)2mol,標(biāo)準(zhǔn)狀況下,該濃硝酸與足量的銅完全反應(yīng)能生成1mol
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】某元素的一個原子形成的離子可表示為n-,下列說法正確的是( )
A.n-中含有的中子數(shù)為a+b
B.n-中含有的電子數(shù)為a-n
C.X原子的質(zhì)量數(shù)為a+b+n
D.一個X原子的質(zhì)量約為 g
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】a、b、c、d、e均為周期表前四周期元素,原子序數(shù)依次增大,相關(guān)信息如下表所示。
a | 原子核外電子分別占3個不同能級,且每個能級上排布的電子數(shù)相同 |
b | 基態(tài)原子的p軌道電子數(shù)比s軌道電子數(shù)少1 |
c | 在周期表所列元素中電負(fù)性最大 |
d | 位于周期表中第4縱行 |
e | 基態(tài)原子M層全充滿,N層只有一個電子 |
請回答:
(1)d屬于________區(qū)的元素,其基態(tài)原子的價電子排布圖為_________。
(2)b與其同周期相鄰元素第一電離能由大到小的順序為________(用元素符號表示)。
(3)c的氫化物水溶液中存在的氫鍵有________種,任意畫出一種________。
(4)a與其相鄰?fù)髯逶氐淖罡邇r氧化物的熔點(diǎn)高低順序為________(用化學(xué)式表示)。若將a元素最高價氧化物水化物對應(yīng)的正鹽酸根離子表示為A,則A的空間構(gòu)型為________;A的中心原子的軌道雜化類型為________;與A互為等電子體的一種分子為________(填化學(xué)式)。
(5)e與Au的合金可形成面心立方最密堆積的晶體,在晶胞中e原子處于面心,該晶體具有儲氫功能,氫原子可進(jìn)入到由e原子與Au原子構(gòu)成的四面體空隙中,儲氫后的晶胞結(jié)構(gòu)與金剛石晶胞結(jié)構(gòu)相似,該晶體儲氫后的化學(xué)式為________,若該晶體的相對分子質(zhì)量為M,密度為ag/cm,則晶胞的體積為________(NA用表示阿伏加德羅常數(shù)的值)。
(6)a形成的某種單質(zhì)的層狀結(jié)構(gòu)如圖,其中a原子數(shù)、a—a鍵數(shù)、六元環(huán)數(shù)之比為____。
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