Question

【題目】目前半導(dǎo)體生產(chǎn)展開(kāi)了一場(chǎng)“銅芯片”革命——在硅芯片上用銅代替鋁布線，古老的金屬銅在現(xiàn)代科技應(yīng)用上取得了突破，用黃銅礦(主要成分為CuFeS2)生產(chǎn)粗銅，其反應(yīng)原理如下：

（1）基態(tài)硫原子的外圍電子排布式為 ，硫元素與氧元素相比，第一電離能較大的元素是 (填元素符號(hào))。

（2）反應(yīng)①、②中均生成有相同的氣體分子，該分子的中心原子雜化類型是 ，其立體結(jié)構(gòu)是 。

（3）某學(xué)生用硫酸銅溶液與氨水做了一組實(shí)驗(yàn)：CuSO4溶液藍(lán)色沉淀沉淀溶解，得到深藍(lán)色透明溶液，寫(xiě)出藍(lán)色沉淀溶于氨水的離子方程式 ；深藍(lán)色透明溶液中的陽(yáng)離子(不考慮H+)內(nèi)存在的全部化學(xué)鍵類型有 。

（4）銅是第四周期最重要的過(guò)渡元素之一，其單質(zhì)及化合物具有廣泛用途，銅晶體中銅原子堆積模型為 ；銅的某種氧化物晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，若該晶體的密度為d g/cm3，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則該晶胞中銅原子與氧原子之間的距離為 pm(用含d和NA的式子表示)。

Answer 1

【答案】（1） 1s22s22p63s23p4 ；O；（2）sp2；V型；

（3）Cu(OH)2+4NH3H2O=[Cu(NH3)4]2++2OH－+4H2O；共價(jià)鍵、配位鍵；

（4）面心立方最密堆積；×1010。

【解析】試題分析：（1）S位于第三周期ⅥB族，是16號(hào)元素，基態(tài)硫原子的外圍電子排布式為1s22s22p63s23p4；同主族元素第一電離能自上而下逐漸減小，所以第一電離能較大的是氧；故答案為：1s22s22p63s23p4；O；

（2）由（1）分析知反應(yīng)①②生成的相同氣體分子是SO2，SO2中價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=2+(6-2×2)=3，所以S原子采用sp2雜化，由于含有一個(gè)孤電子對(duì)，其空間構(gòu)型是V型；故答案為：sp2；V型；

（3）硫酸銅溶液與氨水生成氫氧化銅藍(lán)色沉淀，氫氧化銅溶于過(guò)量的氨水，形成[Cu(NH3)4]2+離子，藍(lán)色沉淀溶于氨水的離子方程式為Cu(OH)2+4NH3H2O=[Cu(NH3)4]2++2OH-+4H2O，深藍(lán)色透明溶液中的陽(yáng)離子(不考慮H+)內(nèi)存在的全部化學(xué)鍵類型有共價(jià)鍵、配位鍵，故答案為：Cu(OH)2+4NH3H2O=[Cu(NH3)4]2++2OH-+4H2O；共價(jià)鍵、配位鍵；

（4）銅晶體中銅原子堆積模型為面心立方最密堆積，在銅的某種氧化物晶胞中，O原子在晶胞的頂點(diǎn)和體心，故O原子數(shù)=×8+1=2，Cu原子全部在體心，故Cu原子數(shù)=4，即一個(gè)氧化亞銅晶胞中有2個(gè)O原子和4個(gè)Cu原子，根據(jù)密度計(jì)算公式ρ＝可知，體積V==cm3，所以晶胞的邊長(zhǎng)為cm，根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)圖可知，晶胞中銅原子與氧原子之間的距離晶胞邊長(zhǎng)的，所以該晶胞中銅原子與氧原子之間的距離為×cm=××1010pm，故答案為：面心立方最密堆積；××1010