A. | 向飽和碳酸氫鈣溶液中加入過量的NaOH溶液:Ca2++HCO3-+OH-=CaCO3↓+H2O | |
B. | KAl(SO4)2中滴加Ba(OH)2使SO42-恰好完全沉淀:2Al3++3SO42-+3Ba2++6OH-=2Al(OH)3↓+3BaSO4↓ | |
C. | 氫氧化鈉溶液吸收少量SO2氣體:SO2+2OH-=SO32-+H2O | |
D. | 硫酸亞鐵加過氧化氫溶液:Fe2++H2O2+2H+=Fe3++2H2O |
分析 A.氫氧化鈉過量反應生成碳酸鈣、碳酸鈉和水;
B.硫酸根離子恰好沉淀時,鋁離子與氫氧根離子的物質(zhì)的量之比為1:4,二者反應生成偏鋁酸根離子;
C.二氧化硫少量,反應生成亞硫酸鈉和水;
D.電荷不守恒.
解答 解:A.向飽和碳酸氫鈣溶液中加入過量的NaOH溶液,離子方程式:Ca2++2HCO3-+2OH-=CaCO3↓+2H2O+CO32-,故A錯誤;
B.明礬[KAl(SO4)2]溶液中滴入Ba(OH)2溶液使SO42-恰好完全沉淀,硫酸鋁鉀與氫氧化鋇的物質(zhì)的量之比為1:2,反應生成偏鋁酸鈉,正確的離子方程式為:2Ba2++4OH-+Al3++2SO42-═2BaSO4↓+AlO2-+2H2O,故B錯誤;
C.氫氧化鈉溶液吸收少量SO2氣體,離子方程式:SO2+2OH-=SO32-+H2O,故C正確;
D.硫酸亞鐵加過氧化氫溶液,離子方程式:2Fe2++H2O2+2H+=2Fe3++2H2O,故D錯誤;
故選D.
點評 本題考查了離子方程式的判斷,掌握離子方程式的書寫原則,明確離子方程式正誤判斷常用方法:檢查反應物、生成物是否正確,檢查各物質(zhì)拆分是否正確,如難溶物、弱電解質(zhì)等需要保留化學式,檢查是否符合原化學方程式等是解題關鍵,注意離子方程式遵循客觀事實、遵循原子個數(shù)、電荷數(shù)守恒規(guī)律,題目難度中等.
科目:高中化學 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 呈酸性 | B. | c(H+)=1×10-6mol/L | ||
C. | c(OH-)=1×10-6mol/L | D. | 無法判斷 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 常溫時五種元素的單質(zhì)中,Z單質(zhì)的沸點最高 | |
B. | Y元素的非金屬性比W元素的非金屬性強 | |
C. | Y、Z的陰離子的電子層結構都與R原子的相同 | |
D. | Y的氫化物的沸點比H2O的沸點高 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 該濃度的鹽酸可以用廣口瓶盛裝 | |
B. | 該試劑的物質(zhì)的量濃度為11.9mol/L | |
C. | 用該鹽酸配制250毫升2.0摩爾、升的稀鹽酸時需要選用100毫升量筒 | |
D. | 該鹽酸中所含Cl-數(shù)目為5.95NA |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 水玻璃-混合物氨水-弱堿 | |
B. | 油脂-天然高分子化合物 有機玻璃-合成高分子化合物 | |
C. | 二氧化硅-半導體材料硅單質(zhì)-光纖材料 | |
D. | 高錳酸鉀溶液-氧化性碳酸鈉溶液-堿性 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | CH4 | B. | C2H4 | C. | C3H8 | D. | C6H6 |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | ①③ | B. | ②④ | C. | ①④ | D. | ②③ |
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