下列離子中，電子數(shù)大于質(zhì)子數(shù)且質(zhì)子數(shù)大于中子數(shù)的是
[     ]
A．D3O+
B．Li+
C．ODˉ
D．OHˉ
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

元素周期表中的第ⅢA、ⅣA、ⅤA族的部分元素往往易形成原子晶體，氮化鋁、磷化硼和砷化鎵屬于此列，如氮化鋁晶體中每個Al原子與4個N原子相連，每個N原子也與4個Al原子相連，晶胞如右圖所示．磷化硼是一種受到高度關(guān)注的耐磨涂料，它可用作金屬的表面保護層；砷化鎵屬于第三代半導(dǎo)體，它能直接將電能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽埽榛墴襞輭勖瞧胀襞莸?00倍，而耗能只有其10%．試回答下列問題：
（1）下列離子中最外層電子數(shù)不為8的是
D
D
（選填序號）．
A．P3-           B．Al3+           C．Ti4+         D．Ga3+
（2）下列說法正確的是
BC
BC
（選填序號）．
A．硼和鎵都屬于S區(qū)元素，磷、砷屬于P區(qū)元素
B．第一電離能：As＞Ga    Mg＞Al
C．根據(jù)等電子體原理，砷化鎵、磷化硼的晶胞與氮化鋁晶體相同且類似于單晶硅
D．NH3沸點高于AsH3，其原因是NH3分子中共價鍵強度較大
（3）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3反應(yīng)得到，該反應(yīng)在700℃進行，反應(yīng)的化學(xué)方程式為
（CH3）3Ga+AsH3
700℃
GaAs+3CH4
（CH3）3Ga+AsH3
700℃
GaAs+3CH4
；
下列有機分子中碳原子的雜化方式與（CH3）3Ga分子中Ga原子的雜化方式相同的是
BDE
BDE
．（填序號）
A．CH4B．CH2=CH2C．CH≡CH      D．HCHO      E．
（4）請畫出三溴化磷分子的路易斯結(jié)構(gòu)式
，請判斷三溴化硼分子屬于
非極性
非極性
（填“極性”“非極性”）分子．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【化學(xué)一選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
有X、Y、Z、Q、E、M、G原子序數(shù)依次遞增的七種元素，除G元素外其余均為短周期主族元素．X的原子中沒有成對電子，Y元素基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道且每種軌道中的電子數(shù)相同，Z元素原子的外圍電子層排布式為nsnnpn+1，Q的基態(tài)原子核外成對電子數(shù)是成單電子數(shù)的3倍，E與Q同周期，M元素的第一電離能在同周期主族元素中從大到小排第三位，G的陽離子是膽礬晶體中的中心離子．回答下列問題：
（1）Z元素原子價層電子的軌道表示式為：
；
（2）由X、Y、Z形成的XYZ分子中，含有
2
2
個σ鍵．
（3）相同條件下，MQ2比YQ2在X2Q中的溶解度大的理由是
SO2是極性分子，H2O也是極性分子，相似相溶
SO2是極性分子，H2O也是極性分子，相似相溶
．
（4）ZE3是一種無色、無毒、無味的氣體，該分子的VSEPR模型為
四面體形
四面體形
，分子的立體結(jié)構(gòu)為
三角錐形
三角錐形
．
（5）膽礬晶體內(nèi)G離子和配體之間存在
配位
配位
鍵，將該晶體溶于氨水形成深藍色的配合物溶液，其中配離子的結(jié)構(gòu)簡式為
．
（6）G元素形成的單質(zhì)晶體中一個原子的配位數(shù)為
12
12
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

[化學(xué)--物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
四種常見元素：A、B、C、D為周期表前四周期元素，原子序數(shù)依次遞增，它們的性質(zhì)或結(jié)構(gòu)信息如下表．試根據(jù)信息回答有關(guān)問題．
元素 A B C D
結(jié)構(gòu)性質(zhì)
信息		 基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道，且每種軌道中的電子數(shù)相同 原子核外有兩個電子層，最外層有3個未成對的電子 基態(tài)原子的M層有2對成對的p電子 其原子序數(shù)比A、B、C三種元素原子的質(zhì)子數(shù)總和還少1，有+1、+2兩種常見化合價
（1）寫出D原子的外圍電子排布式
3d104s1
3d104s1
，A、B、C、D四種元素的第一電離能最小的是
Cu
Cu
（用元素符號表示）．
（2）B元素的氫化物的沸點比同主族相鄰元素氫化物沸點
高
高
（填“高”或“低”）．
（3）元素F與A相鄰且同主族，它們與氧元素的成鍵情況如下：
A-O A=O F-O F=O
鍵能（KJ/mol） 360 803 464 640
在A和O之間通過雙鍵形成AO2分子，而F和O則不能和A那樣形成有限分子，原因是
C=O的鍵能比C-O的鍵能的兩倍要大，Si=O的鍵能比Si-O的鍵能的兩倍要小，所以Si和O成單鍵更穩(wěn)定，而C和O以雙鍵形成穩(wěn)定分子
C=O的鍵能比C-O的鍵能的兩倍要大，Si=O的鍵能比Si-O的鍵能的兩倍要小，所以Si和O成單鍵更穩(wěn)定，而C和O以雙鍵形成穩(wěn)定分子
．
（4）往D元素的硫酸鹽溶液中逐滴加入過量B元素的氫化物水溶液，可生成的配合物，該配合物中不含有的化學(xué)鍵是
ce
ce
（填序號）．a(chǎn)．離子鍵  b．極性鍵c．非極性鍵d．配位鍵    e．金屬鍵
（5）下列分子結(jié)構(gòu)圖中的“”表示上述相關(guān)元素的原子中除去最外層電子的剩余部分，“”表示氫原子，小黑點“”表示沒有形成共價鍵的最外層電子，短線表示共價鍵．

則在以上分子中，中心原子采用sp3雜化形成化學(xué)鍵的是
①③
①③
（填序號）；在②的分子中有
3
3
個σ鍵和
2
2
個π鍵．
（6）已知一種分子B4分子結(jié)構(gòu)如圖所示，斷裂1molB-B吸收aKJ的熱量，生成1molB≡B放出bKJ熱量．試計算反應(yīng)：B4（g）═2B2（g）△H=
-（2b-6a）
-（2b-6a）
KJ/mol．

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科目：高中化學(xué) 來源：2013-2014學(xué)年遼寧省撫順市六校聯(lián)合體高三上學(xué)期期中考試化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

X、Y、Z、R、W均為周期表中前四周期的元素，其原子序數(shù)依次增大；x2－和Y+有相同的核外電子排布；Z的氫化物的沸點比其上一周期同族元素氫化物的沸點低；R的基態(tài)原子在前四周期元素的基態(tài)原子中單電子數(shù)最多；W為金屬元素，X與W形成的某種化合物與Z的氫化物的濃溶液加熱時反應(yīng)可用于實驗室制取Z的氣態(tài)單質(zhì)�；卮鹣铝袉栴}（相關(guān)回答均用元素符號或化學(xué)式表示）：

（1）R的基態(tài)原子的核外電子排布式是＿＿＿＿＿＿＿。

（2）Z的氫化物的沸點比其上一周期同族元素氫化物的沸點低的原因是＿＿＿＿＿＿＿＿。

（3）X與Z中電負性較大的是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿；Z的某種含氧酸鹽常用于實驗室中X的單質(zhì)的制取，此酸根離子的空間構(gòu)型是＿＿＿＿＿，此離子中含有的化學(xué)鍵類型是＿＿＿＿；X一Z一X的鍵角＿＿＿＿＿109． 50。（填“＞”、“＝”或“＜”）

（4）X與Y形成的化合物Y2X的晶胞如圖。其中X離子的配位數(shù)為_______，以相距一個X離子最近的所有Y離子為頂點構(gòu)成的幾何體為        。該化合物與MgO相比，熔點較高的是＿＿＿＿＿。

（5）已知該化合物的晶胞邊長為a pm，則該化合物的密度為＿＿＿＿g/cm3。（列算式，不必計算出數(shù)值，阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值為NA）

 

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科目：高中化學(xué) 來源：2015屆福建霞浦一中高一下學(xué)期第一次月考化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

A、B、C、D、E五種短周期主族元素，原子序數(shù)依次增大。A原子的核外電子數(shù)等于最外層電子數(shù)；B原子的最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的2倍；C原子的M層電子數(shù)與L層電子數(shù)相差7；D原子的最外層電子數(shù)是A、B、C三原子的最外層電子數(shù)之和�；卮鹣铝袉栴}。

（1）元素B在周期表中的位置為第        周期         族；元素D簡單離子的結(jié)構(gòu)示意圖為                      。

（2）元素C、D簡單離子的半徑由大到小的順序為(用離子符號表示)             。

（3）元素B可形成離子BH3-，下列與其具有相同電子數(shù)和質(zhì)子數(shù)的微粒是       。

A．NH4+         B．OH-          C．F-         D．HS-

（4）元素A、C組成化合物甲CA，甲能與水反應(yīng)產(chǎn)生一種強堿和一種氣體，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為                                                    。

（5）A元素有aA、a+1A、a+2A三種同位素，E元素有eE、e+2E兩種同位素，二者所形成分子的相對分子質(zhì)量有          種。

 

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