物質(zhì)的熔點(diǎn)(melting point)指的是在一定壓力下,純物質(zhì)的固態(tài)和液態(tài)呈平衡時(shí)的溫度.在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下,下列物質(zhì)的熔點(diǎn)排列順序正確的是:( )
A.SiO2>KI>I2>O2
B.KI>SiO2>I2>O2
C.NaCl>SiO2>CCl4>CF4
D.CF4>CCl4>NaCl>SiO2
【答案】分析:一般來講,熔沸點(diǎn):原子晶體>離子晶體>金屬晶體>分子晶體;對(duì)于組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力越大,物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高.
解答:解:A.SiO2是原子晶體,KI是離子晶體,I2、O2是分子晶體,前者的相對(duì)分子質(zhì)量大于后者,所以物質(zhì)的熔點(diǎn):SiO2>KI>I2>O2,故A正確;
B.SiO2是原子晶體,KI是離子晶體,I2、O2是分子晶體,前者的相對(duì)分子質(zhì)量大于后者,所以物質(zhì)的熔點(diǎn):SiO2>KI>I2>O2,故B錯(cuò)誤;
C.SiO2是原子晶體,NaCl是離子晶體,CCl4、CF4是分子晶體,前者的相對(duì)分子質(zhì)量大于后者,所以物質(zhì)的熔點(diǎn):SiO2>NaCl>CCl4>CF4,故C錯(cuò)誤;
D.SiO2是原子晶體,NaCl是離子晶體,CCl4、CF4是分子晶體,前者的相對(duì)分子質(zhì)量大于后者,所以物質(zhì)的熔點(diǎn):SiO2>NaCl>CCl4>CF4,故D錯(cuò)誤;
故選A.
點(diǎn)評(píng):比較物質(zhì)的熔點(diǎn),首先判斷晶體類型,一般來說熔沸點(diǎn):原子晶體>離子晶體>金屬晶體>分子晶體,然后依據(jù)同種晶體熔沸點(diǎn)的比較方法進(jìn)行比較.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列排列順序正確的是( 。
①固體熱穩(wěn)定性:Na2CO3>CaCO3>NaHCO3
②微粒半徑:F->Na+>Mg2+>S2-
③燃燒熱:S(氣體)>S(液體)>S(固體)
④物質(zhì)的沸點(diǎn):SiO2>KCl>H2O>H2S⑤物質(zhì)的熔點(diǎn):植物油>動(dòng)物油.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

通常人們把拆開1mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能.鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(△H),化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差.
化學(xué)鍵 Si-O Si-Cl H-H H-Cl Si-Si Si-C
鍵能/
kJ?mol-1
460 360 436 431 176 347
請(qǐng)回答下列問題:
(1)已知Si、SiC、SiO2熔化時(shí)必須斷裂所含化學(xué)鍵,比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”):SiC
Si,Si
SiO2
(2)工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制取:
SiCl4(g)+2H2(g)
 高溫 
.
 
Si(s)+4HCl(g),
則2mol H2生成高純硅需
吸收
吸收
(填“吸收”或“放出”)能量
236
236
kJ.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2011?信陽二模)下列有關(guān)比較中,大小順序排列錯(cuò)誤的是(  )

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列有關(guān)比較中,大小順序排列錯(cuò)誤的是( 。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

關(guān)于氫鍵,下列說法正確的是( 。
A、每一個(gè)水分子中含有兩個(gè)氫鍵B、分子間形成的氫鍵使物質(zhì)的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)升高C、冰、液氨和溴苯中都存在氫鍵D、H2O是一種非常穩(wěn)定的化合物,這是由于存在氫鍵的緣故

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