工業(yè)上由粗硅制取高純硅有如下反應(yīng), ①Si(s)+3HCl(g)SiHCl3(g)+H2(g)(放熱381 kJ) ②SiHCl3(g)+H2(g)Si(s)+3HCl(g) 對(duì)上述反應(yīng)的說(shuō)法正確的是 | |
A. |
均為置換反應(yīng)和氧化反應(yīng) |
B. |
反應(yīng)①、②實(shí)際上互為可逆反應(yīng) |
C. |
由于反應(yīng)①放熱,則反應(yīng)②一定吸熱 |
D. |
提高SiHCl3產(chǎn)率,應(yīng)采用加壓和升溫的辦法 |
高純硅的制取是以初步冶煉得到的粗硅為原料,在加熱條件下與氯化氫氣體反應(yīng),制成氣態(tài)化合物SiHCl3,與雜質(zhì)分離,然后在高溫條件下用氫氣還原,重新得到硅和氯化氫氣體,這樣就去掉了雜質(zhì),得到高純硅. 從反應(yīng)分析,上述兩個(gè)反應(yīng)均為單質(zhì)和化合物反應(yīng),生成新的單質(zhì)和新的化合物,均屬于置換反應(yīng),也都屬于氧化還原反應(yīng),因?yàn)橹脫Q反應(yīng)必有元素的化合價(jià)在反應(yīng)前后發(fā)生變化. 反應(yīng)①為放熱反應(yīng),則反應(yīng)②必為吸熱反應(yīng),因?yàn)樯鲜鰞蓚(gè)反應(yīng)互為相反的反應(yīng).由于這兩個(gè)反應(yīng)的反應(yīng)物和生成物正好相反,所以反應(yīng)能量的變化情況也正好相反.但二者并不屬于可逆反應(yīng),因?yàn)槎卟皇窃谕粭l件下進(jìn)行的反應(yīng),故不屬于可逆反應(yīng). 為了提高SiHCl3的產(chǎn)率,就需要給反應(yīng)創(chuàng)造合適的條件,反應(yīng)①為放熱反應(yīng),采取升溫的方法不利于反應(yīng)熱的釋放,這樣的方法是不合理的. |
年級(jí) | 高中課程 | 年級(jí) | 初中課程 |
高一 | 高一免費(fèi)課程推薦! | 初一 | 初一免費(fèi)課程推薦! |
高二 | 高二免費(fèi)課程推薦! | 初二 | 初二免費(fèi)課程推薦! |
高三 | 高三免費(fèi)課程推薦! | 初三 | 初三免費(fèi)課程推薦! |
科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
查看答案和解析>>
科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
工業(yè)上由粗硅制取高純硅有以下反應(yīng):
①Si(固)+3HCl(氣)==SiHCl3+H2(氣),△H = -381kJ/mol
②SiHCl3(氣)+H2(氣)==Si(固)+3HCl(氣)
對(duì)上述反應(yīng)的說(shuō)法中正確的是……( )
A、均為置換反應(yīng)和氧化還原反應(yīng) B、反應(yīng)①、②實(shí)際上互為可逆反應(yīng)
C、由于反應(yīng)①放熱,則反應(yīng)②可能是吸熱的,也可能是放熱的
D、提高SiHCl3產(chǎn)率,應(yīng)采用加壓和升溫的辦法
查看答案和解析>>
科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:單選題
工業(yè)上由粗硅制取高純硅有以下反應(yīng):
①Si(固)+3HCl(氣)==SiHCl3+H2(氣),△H =" -381kJ/mol" ②SiHCl3(氣)+H2(氣)==Si(固)+3HCl(氣)
對(duì)上述反應(yīng)的說(shuō)法中正確的是
查看答案和解析>>
科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:單選題
查看答案和解析>>
百度致信 - 練習(xí)冊(cè)列表 - 試題列表
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報(bào)平臺(tái) | 網(wǎng)上有害信息舉報(bào)專區(qū) | 電信詐騙舉報(bào)專區(qū) | 涉歷史虛無(wú)主義有害信息舉報(bào)專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報(bào)專區(qū)
違法和不良信息舉報(bào)電話:027-86699610 舉報(bào)郵箱:58377363@163.com