（三選一）【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
下表中實(shí)線是元素周期表的部分邊界，其中上邊界并未用實(shí)線標(biāo)出。
根據(jù)信息回答下列問題：
（1）周期表中比Ga質(zhì)子數(shù)少2的基態(tài)原子價(jià)電子排布式為_____________。
（2）Fe元素位于周期表的____分區(qū)；Fe與CO易形成配合物Fe(CO)5，在Fe(CO)5中鐵的化合價(jià)為__________；已知：原子數(shù)目和電子總數(shù)（或價(jià)電子總數(shù)）相同的微�；榈入娮芋w，等電子體具有相似的結(jié)構(gòu)特征。與CO分子互為等電子體的分子和離子分別為______和_____（填化學(xué)式），CO的結(jié)構(gòu)式為_____________。
（3）在CH4、CO及CH3OH中，碳原子采取sp3雜化的分子為________________。
（4）根據(jù)VSEPR理論預(yù)測(cè)ED4-離子的空間構(gòu)型為______________型。B、C、D及E原子相互化合形成的分子中，所有原子都滿足最外層8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的電子式為：__________________________________(寫2種)
（5）B與D形成的穩(wěn)定化合物為___________分子（填“極性”“非極性”），其固態(tài)為________晶體。
（1）3d104s1
（2）d；0；N2；CN－；C≡O(shè)
（3）CH4CH3OH
（4）正四面體；、（答案合理即可）
（5）非極性；分子
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相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：湖北省模擬題 題型：填空題

（三選一）【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
A、B、C、D分別代表四種不同的短周期元素。A元素的原子最外層電子排布為ns1，B元素的原子價(jià)電子排布為ns2np2，C元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍，D元素原子的M電子層的P亞層中有3個(gè)電子。
（1）C原子的電子排布式為____________，若A元素的原子最外層電子排布為1s1，則按原子軌道的重迭方式，A與C形成的化合物中的共價(jià)鍵屬于________鍵。
（2）當(dāng)n＝2時(shí)，B的原子結(jié)構(gòu)示意圖為____________，B與C形成的晶體屬于__________ 晶體。當(dāng)n＝3時(shí)，B與C形成的晶體中微粒間的作用力是_______________
（3）若A元素的原子最外層電子排布為2s1，B元素的原子價(jià)電子排布為3s23p2，元素A在周期表中的位置是__________，A、B、C、D四種元素的第一電離能由大到小的順序是_______________ (用元素符號(hào)表示)。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：寧夏自治區(qū)模擬題 題型：推斷題

（三選一）【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素，它們的原子序數(shù)依次增大。其中A、C原子的L層有2個(gè)未成對(duì)電子。D與E同主族，D的二價(jià)陽(yáng)離子與C的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu)。F3+M層3d軌道電子為半滿狀態(tài)。請(qǐng)根據(jù)以上情況，回答下列問題：（答題時(shí)，用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示）
(1)寫出F原子的電子排布式：________， F位于周期表____區(qū)。
(2)A、B、C的第一電離能由小到大的順序?yàn)開___。
(3)F和M(質(zhì)子數(shù)為25)兩元素的部分電離能數(shù)據(jù)列于下表：
比較兩元素的I2、I3可知，氣態(tài)M2+再失去一個(gè)電子比氣態(tài)F2+再失去一個(gè)電子難。對(duì)此，你的解釋是_____________________
(4)已知F晶體的堆積方式與金屬鉀相同，則F晶胞中F原子的配位數(shù)為________，一個(gè)晶胞中F原子的數(shù)目為_________。
(5)H2S和C元素的氫化物（分子式為H2C2）的主要物理性質(zhì)比較如下
H2S和H2C2的相對(duì)分子質(zhì)量基本相同，造成上述物理性質(zhì)差異的主要原因是____________

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：吉林省期中題 題型：推斷題

（三選一）【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
原子序數(shù)依次遞增的A、B、C、D、E是周期表中前30號(hào)元素。已知A的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍；A與C形成的常見化合物之一是主要的溫室氣體；D與A同主族，其單質(zhì)在同周期元素所形成的單質(zhì)中熔點(diǎn)最高；E原子M能 層為全充滿狀態(tài)，且核外的未成對(duì)電子只有一個(gè)。請(qǐng)回答下列問題：
（1）B在周期表中的位置是___________，該主族元素的氣態(tài)氫化物中，沸點(diǎn)最低的是__________（填化學(xué)式）。
（2）根據(jù)等電子原理分析，BC2+ 中B原子的軌道雜化類型是____________。
（3）五種元素中，電負(fù)性最大與最小的兩種非金屬元素形成的化合物在常溫下是晶體，其晶體類型是____________。
（4）+1價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽(yáng)離子再失去一個(gè)電子形成+2價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽(yáng)離子所需要的能量稱為第二電離能I2，依次還有I3、I4、I5…，推測(cè)D元素的電離能突增應(yīng)出現(xiàn)在第______電離能。
（5）A的一種相對(duì)分子質(zhì)量為28的氫化物，其分子中σ鍵與π鍵的個(gè)數(shù)之比為________；A能形成多種常見單質(zhì)，在熔點(diǎn)最低的單質(zhì)中，每個(gè)分子周圍緊鄰的分子數(shù)目為___________； 
（6）E的基態(tài)原子有_____種形狀不同的原子軌道；E2+ 的價(jià)電子排布式為_______；下圖_______（填甲、乙或丙）表示的是E晶體中微粒的堆積方式。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：江西省模擬題 題型：推斷題

（三選一）【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
已知：A、B、C、D為周期表1～36號(hào)中的元素，它們的原子序數(shù)逐漸增大。A的基態(tài)原子有3個(gè)不同的能級(jí)，各能級(jí)中電子數(shù)相等；C的基態(tài)原子2p能級(jí)上的未成對(duì)電子數(shù)與A原子相同；D的基態(tài)原子的M電子層上有4個(gè)未成對(duì)電子。
請(qǐng)回答下列問題：
(1)D是元素周期表中第____周期，第_______族的元素；其基態(tài)原子的外圍電子排布式為____________________。
(2)A、B、C、D四種元素中，電負(fù)性最大的是________(填元素符號(hào))。
(3)由A、B、C形成的離子CAB－與AC2互為等電子體，則CAB－中A原子的雜化方式為____________。B的氫化物的沸點(diǎn)遠(yuǎn)高于A的氫化物的主要原因是___________________。
(4)D能與AC分子形成D(AC)5，其原因是AC分子中含有________。D(AC)5常溫下呈液態(tài)，熔點(diǎn)為－20.5℃，沸點(diǎn)為103℃，易溶于非極性溶劑，據(jù)此可判斷D(AC)5晶體屬于_________（填晶體類型）。
(5)SiO2的晶胞可作如下推導(dǎo)：先將NaCl晶胞中的所有Cl－去掉，并將Na＋全部換成Si原子，再在每?jī)蓚�(gè)不共面的“小立方體”中心處各放置一個(gè)Si原子便構(gòu)成了晶體Si的一個(gè)晶胞。再在每?jī)蓚�(gè)相鄰的Si原子(距離最近的兩個(gè)Si原子)中心聯(lián)線的中點(diǎn)處增添一個(gè)O原子，便構(gòu)成了SiO2晶胞，故SiO2晶胞中有_______個(gè)Si原子，______個(gè)O原子。

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