Question

（1）按要求填空：周期表中電負性最大的元素的基態(tài)原子核外電子排布式　；第三周期元素中離子半徑最小的元素的價電子排布式　　； Cu²⁺的電子排布式：　．

（2）在下列物質(zhì)中：①N₂、②H₂S、③KOH、④MgCl₂、⑤C₂H₄、⑥Na₂O₂、⑦NH₄C1⑧苯（C₆H₆）（用序號填空）其中只含有非極性鍵的是　　；只含有離子鍵的是　　；既含有非極性鍵又含有極性鍵的是　　；含有非極性鍵的離子化合物是　　，上述物質(zhì)存在范德華力的是　　．

（3）短周期元素中，X原子核外L層中只有兩對成對電子，Y原子價電子排布為nsⁿnpⁿ，Z原子最外層電子數(shù)比內(nèi)層電子總數(shù)少4，則YX₂與 ZX₂分子的空間構(gòu)型依次為　　、　　．

Answer 1

考點：

原子核外電子排布；離子化合物的結(jié)構(gòu)特征與性質(zhì)；共價鍵的形成及共價鍵的主要類型；判斷簡單分子或離子的構(gòu)型．

專題：

化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)．

分析：

（1）周期表中電負性最大的元素是F元素，根據(jù)構(gòu)造原理書寫其基態(tài)原子核外電子排布式；第三周期元素中，離子電子層數(shù)越少，其離子半徑越小，所以離子半徑最小的是Al³⁺；

Cu是29號元素，其原子核外有29個電子，其基態(tài)原子核外電子排布式為[Ar]3d¹⁰4s¹，Cu原子失去2個電子變?yōu)镃u²⁺；

（2）一般來說，活潑金屬和活潑非金屬元素之間易形成離子鍵，不同非金屬元素之間易形成極性鍵，同種非金屬元素之間易形成非極性鍵，分子晶體中存在范德華力；

（3）短周期元素中，X原子核外L層中只有兩對成對電子，則X原子核外有8個電子，則為O元素；Y原子價電子排布為nsⁿnpⁿ，s能級最多排列2個電子，則Y原子價電子排布式為2s²2p²，則Y是C元素；Z原子最外層電子數(shù)比內(nèi)層電子總數(shù)少4，則能層電子數(shù)為10，其最外層電子數(shù)是6，則Z是S元素，根據(jù)價層電子對互斥理論確定YX₂與 ZX₂分子的空間構(gòu)型．

解答：

解：（1）周期表中電負性最大的元素是F元素，根據(jù)構(gòu)造原理知其基態(tài)原子核外電子排布式為1s²2s²2p⁵；

第三周期元素中，離子電子層數(shù)越少，其離子半徑越小，所以離子半徑最小的是Al³⁺，Al原子核外最外層電子數(shù)是3且位于第三電子層上，所以Al原子價電子排布式為3s²3p¹；

Cu是29號元素，其原子核外有29個電子，其基態(tài)原子核外電子排布式為[Ar]3d¹⁰4s¹，Cu原子失去2個電子變?yōu)镃u²⁺，Cu²⁺的電子排布式為[Ar]3d⁹，

故答案為：1s²2s²2p⁵；3s²3p¹；[Ar]3d⁹；

（2）①N₂中兩個N原子之間只存在非極性鍵，為分子晶體；

②H₂S中H原子和S原子之間只存在極性鍵，為分子晶體；

③KOH中鉀離子和氫氧根離子之間存在離子鍵、H原子和O原子之間存在極性鍵，為含有極性鍵的離子化合物；

④MgCl₂中鎂離子和氯離子之間只存在離子鍵，為離子化合物；

⑤C₂H₄中C原子之間存在非極性鍵、C原子和H原子之間存在極性鍵，為分子晶體；

⑥Na₂O₂中鈉離子和過氧根離子之間存在離子鍵、O原子之間存在非極性鍵，為離子化合物；

⑦NH₄C1中銨根離子和氯離子之間存在離子鍵、N原子和H原子之間存在共價鍵，為離子化合物；

⑧苯（C₆H₆）中C原子之間存在非極性鍵，C原子和H原子之間存在極性鍵，為分子晶體；

通過以上分析知，其中只含有非極性鍵的是①；只含有離子鍵的是④；既含有非極性鍵又含有極性鍵的是 ⑤⑧；含有非極性鍵的離子化合物是⑥，分子晶體中含有范德華力，所以上述物質(zhì)存在范德華力的是 ①②⑤⑧，

故答案為：①；④；⑤⑧；⑥；①②⑤⑧；

（3）短周期元素中，X原子核外L層中只有兩對成對電子，則X原子核外有8個電子，則為O元素；Y原子價電子排布為nsⁿnpⁿ，s能級最多排列2個電子，則Y原子價電子排布式為2s²2p²，則Y是C元素；Z原子最外層電子數(shù)比內(nèi)層電子總數(shù)少4，則能層電子數(shù)為10，其最外層電子數(shù)是6，則Z是S元素，

CO₂分子C原子只含2個σ鍵，則為直線形結(jié)構(gòu)，SO₂分子中價層電子對個數(shù)=2+×（6﹣2×2）=3，且含有1個孤電子對，所以二氧化硫分子為V形結(jié)構(gòu)，

故答案為：直線形；V形．

點評：

本題考查了化學(xué)鍵、分子構(gòu)型的判斷及原子核外電子排布式的書寫，根據(jù)物質(zhì)的構(gòu)成微粒、價層電子對互斥理論等知識點來分析解答，知道核外電子排布式的書寫方法，題目難度不大．