列電子構(gòu)型的原子中，第二電離能與第一電離能差值最大的是(　　)

A．1s22s22p5                           B．1s22s22p6

C．1s22s22p63s1                         D．1s22s22p63s2

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：


實驗室可用鐵片與稀硫酸反應(yīng)制取氫氣，下列措施不能使生成氫氣的速率增大的是     

A. 加熱          B. 改用鐵粉         C. 改用鎂條     D. 改用濃硫酸

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：


如下圖裝置所示，C、D、E、F、X、Y都是惰性電極，甲、乙中溶液的體積和濃度都相同(假設(shè)通電前后溶液體積不變)，A、B為外接直流電源的兩極。將直流電源接通后，F(xiàn)極附近呈紅色。

請回答：

(1)B極是電源的________，一段時間后，甲中溶液顏色________，丁中X極附近的顏色逐漸變淺，Y極附近的顏色逐漸變深，這表明____________________，在電場作用下向Y極移動。

(2)若甲、乙裝置中的C、D、E、F電極均只有一種單質(zhì)生成時，對應(yīng)單質(zhì)的物質(zhì)的量之比為______________。

(3)現(xiàn)用丙裝置給銅件鍍銀，則H應(yīng)該是________(填“鍍層金屬”或“鍍件”)，電鍍液是________溶液。當乙中溶液的pH是13時(此時乙溶液體積為500 mL)，丙中鍍件上析出銀的質(zhì)量為________，甲中溶液的pH________(填“變大”、“變小”或“不變”)。

(4)若將C電極換為鐵，其他裝置都不變，則甲中發(fā)生總反應(yīng)的離子方程式是_______________________________________________________________。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：


既有離子鍵又有共價鍵和配位鍵的化合物是(    )

    A．NH4NO3        B．NaOH             C．H2SO4             D．H2O

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下列說法中正確的是（     ）

A.第3周期所含元素中鈉的第一電離能最小  B.鋁的第一電離能比鎂的第一電離能大

C.在所有的元素中，F(xiàn)的第一電離能最大         D.鉀的第一電離能比鎂的第一電離能大

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下列物質(zhì)中屬于高分子化合物的是（    ）

A.十七烷             B.油脂                 C.乙烯               D.淀粉

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關(guān)于的說法不正確的是（    ）

A.二者相對分子質(zhì)量大小不能確定           B.二者形成的物質(zhì)均為混合物

C.合成二者的反應(yīng)類型相同                 D.二者的性質(zhì)不相同

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已知常溫常壓下在1 L水中可溶解40 L NO2，NO2能與NaOH溶液發(fā)生反應(yīng)：2NaOH＋2NO2===NaNO3＋NaNO2＋H2O。以下各種尾氣吸收裝置中，不適合吸收NO2氣體的是(　　)

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：


根據(jù)實驗室中測定硫酸銅晶體（CuSO4·xH2O）結(jié)晶水含量的實驗，填寫下列空白：⑴ 從下列儀器中選出所需儀器(用標號字母填寫)_____________________。

A．電子天平    B．試管夾     C．燒杯

D．蒸發(fā)皿      E．坩堝       F．石棉網(wǎng)   

除上述儀器和酒精燈外，還需要的儀器是____________,________________（任意填寫兩種）。

⑵ 某學(xué)生實驗后得到以下數(shù)據(jù)：

加熱前質(zhì)量

加熱后質(zhì)量

m1(容器)

m2(容器+晶體)

m3(容器+無水硫酸銅)

5.400 g

7.900 g

7.100 g

                             

①根據(jù)以上數(shù)據(jù)計算該硫酸銅晶體中結(jié)晶水x的值為_____________（精確到0.1）。

②若另一學(xué)生經(jīng)實驗測得x= 4.9，該學(xué)生實驗結(jié)果產(chǎn)生誤差的原因可能是(填寫字母)________。

A．沒有進行恒重操作                    B．加熱后在干燥器中冷卻至室溫后稱量

C．加熱固體到白色后，露置在空氣中冷卻  D．加熱過程中晶體有少量濺失

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