下列各組中兩種物質(zhì)在溶液中的反應(yīng)，能用同一離子方程式表示的是（　　）
A、鐵和稀鹽酸、鐵和稀醋酸
B、FeCl3和NaOH、FeCl3和NH3?H2O
C、BaCl2+H2SO4；   Ba（OH）2+Na2SO4
D、NaHCO3+NaOH；  NaHSO4+NaOH
考點(diǎn)：離子方程式的書寫
專題：離子反應(yīng)專題
分析：A．氯化氫為強(qiáng)電解質(zhì)，拆成離子形式；醋酸為弱電解質(zhì)，保留化學(xué)式；
B．氫氧化鈉為強(qiáng)電解質(zhì)，拆成離子形式；一水合氨為弱電解質(zhì)，保留化學(xué)式；
C．反應(yīng)的實(shí)質(zhì)都是鋇離子與硫酸根離子反應(yīng)生成硫酸鋇沉淀；
D．碳酸氫根離子為多元弱酸酸式根離子，不能拆；硫酸氫根離子為強(qiáng)酸酸式根離子，拆成氫離子和硫酸根離子．
解答： 解：A．鐵和稀鹽酸離子方程式為：Fe+2H+═Fe2++H2↑，鐵和稀醋酸離子方程式為：Fe+2CH3COOH═Fe2++H2↑+2CH3COO-，故A錯(cuò)誤；
B．FeCl3和NaOH反應(yīng)的離子方程式為；Fe3++3OH-=Fe（OH）3↓；FeCl3和NH3?H2O離子方程式為：Fe3++3NH3?H2O=Fe（OH）3↓+3NH4+，故B錯(cuò)誤；
C．BaCl2+H2SO4； Ba（OH）2+Na2SO4反應(yīng)的實(shí)質(zhì)都是鋇離子與硫酸根離子反應(yīng)生成硫酸鋇沉淀，離子方程式都是：Ba2++SO42-=BaSO4↓，故C正確；
D．NaHCO3+NaOH，反應(yīng)的離子方程式為：HCO3-+OH-=H2O+CO32-； NaHSO4+NaOH反應(yīng)的離子方程式為：H++OH-=H2O，故D錯(cuò)誤；
故選：C．
點(diǎn)評：本題考查離子反應(yīng)方程式書寫的正誤判斷，明確反應(yīng)的實(shí)質(zhì)及書寫離子方程式時(shí)需保留化學(xué)式的物質(zhì)是解答本題的關(guān)鍵，難度不大．
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

在反應(yīng) KClO3+6HCl=KCl+3Cl2↑+3H2O中，當(dāng)生成1molCl2時(shí)轉(zhuǎn)移電子的物質(zhì)的量（　�。�
A、5mol
B、3 mol
C、5/3 mol
D、1 mol

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

硅是信息產(chǎn)業(yè)、太陽能電池光電轉(zhuǎn)化的基礎(chǔ)材料．鋅還原四氯化硅是一種有著良好應(yīng)用前景的制備硅的方法，該制備過程示意圖如下：

（1）焦炭在過程Ⅰ中做
 
劑．
（2）過程Ⅱ中Cl2用電解飽和食鹽水制備，制備Cl2的化學(xué)方程式為
 
．
（3）整過生產(chǎn)過程必須嚴(yán)格控制無水．
①SiCl4遇水劇烈水解生成SiO2和一種酸，反應(yīng)方程式為
 
．
②干燥Cl2時(shí)從有利于充分干燥和操作安全的角度考慮，需將約90℃的潮濕氯氣先冷卻至12℃，然后再通入濃H2SO4中．
（4）Zn還原SiCl4的反應(yīng)如下：
反應(yīng)①：400℃～756℃，SiCl4（g）+2Zn（l）═Si（S）+2ZnCl2（l）△H1＜0
反應(yīng)②：756℃～907℃，SiCl4（g）+2Zn（l）═Si（S）+2ZnCl2（g）△H2＜0
反應(yīng)③：907℃～1410℃，SiCl4（g）+2Zn（g）═Si（S）+2ZnCl2（g）△H3＜0
i．反應(yīng)②的平衡常數(shù)表達(dá)式為
 
．
ii．對于上述三個(gè)反應(yīng)，下列說明合理的是
 
．
a．升高溫度會(huì)提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率     
b．還原過程需在無氧的氣氛中進(jìn)行
c．增大壓強(qiáng)能提高反應(yīng)速率          
d．Na、Mg可以代替Zn還原SiCl4
（5）用硅制作太陽能電池時(shí)，為減弱光在硅表面的反射，可用化學(xué)腐蝕法在其表面形成粗糙的多孔硅層．腐蝕劑常用稀HNO3和HF的混合液．硅表面首先形成SiO2，最后轉(zhuǎn)化成H2SiF6．用化學(xué)方程式表示SiO2轉(zhuǎn)化為H2SiF6的過程
 
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

某溶液既能溶解Al（OH）3，又能溶解BaCO3且均形成溶液，在該溶液中可以大量共存的離子組是（　�。�
A、Fe3+、Mg2+、SO42-、NO3-
B、Ag+、Al3+、NO3-、OH-
C、Na+、Ba2+，Cl-、ClO-
D、K+、Na+、CO32-、NO3-

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

能正確表示下列化學(xué)反應(yīng)的離子方程式的是（　　）
A、氫氧化鋇溶液與鹽酸的反應(yīng)     2OH-+2H+=2H2O
B、澄清的石灰水與稀鹽酸反應(yīng)  Ca（OH）2+2H+=Ca2++2H2O
C、銅片插入硝酸銀溶液中  Cu+Ag+=Cu2++Ag
D、碳酸鈣溶于稀鹽酸中   CaCO3+2H+=Ca2++H2O+CO2↑

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

已知：A、B、F是家庭中常見的有機(jī)物，F(xiàn)常用于食品包裝，E是石油化工發(fā)展水平的標(biāo)志．根據(jù)下面轉(zhuǎn)化關(guān)系回答問題．
（1）分別寫出A和E中官能團(tuán)的名稱：A中
 
；E中
 
；
（2）操作⑥的名稱為
 
．
（3）取代反應(yīng)的范疇很廣，①～⑤中屬于取代反應(yīng)的是
 
（填序號）．
（4）請寫出下列反應(yīng)的化學(xué)方程式：
（Ⅰ．）C與稀硫酸溶液加熱反應(yīng)
 
；
（Ⅱ．）B在金屬銅存在下在空氣中加熱反應(yīng)
 
；
（Ⅲ．）D的鈉鹽與稀鹽酸反應(yīng)
 
；
（Ⅳ．）F在空氣中完全燃燒
 
．
（5）F是一種常見的高分子材料，它給我們帶來了巨大的方便．然而，這種材料造成的當(dāng)今的某一環(huán)境問題是
 
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

有A、B、C、D、E五種主族元素，其中A、B、C屬于同一周期，A原子最外層P能級的電子數(shù)等于次外層的電子數(shù)；B原子最外層中有兩個(gè)不成對的電子；D、E原子核內(nèi)各自的質(zhì)子數(shù)與中子數(shù)相等；B元素可分別與A、C、D、E生成RB2型化合物，并知在DB2和EB2中，D與B的質(zhì)量比為7：8，E與B的質(zhì)量比為1：1．試回答：
（1）寫出D原子的電子排布式：
 
．
（2）用電子式表示AE2的形成過程：
 
．
（3）B、C兩元素的第一電離能較大的元素是：
 
（填寫元素符號）．
（4）C的氫化物的立體結(jié)構(gòu)為：
 
．
（5）C的單質(zhì)分子中π鍵的數(shù)目為
 
，B、D兩元素的氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性大小的關(guān)系：
 
＞
 
（填寫化學(xué)式）．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

硅孔雀石是一種含銅的礦石，含銅形態(tài)為CuCO3?Cu（OH）2和CuSiO3?2H2O，同時(shí)含有SiO2、FeCO3、Fe2O3等雜質(zhì)．以硅孔雀石為原料制備CuSO4?5H2O晶體的流程如圖所示：

回答下列問題：
（1）步驟①中，雙氧水的作用（用離子方程式表示）：
 

（2）步驟②的目的是調(diào)節(jié)溶液的pH，試劑A宜選用
 
（填序號）
A．稀硫酸　　B．NaOH溶液　　C．氨水　　　　　D．CuO
常溫下Fe（OH）3的Ksp=1×10-38，若要將溶液中的Fe3+沉淀完全，必需將溶液pH調(diào)節(jié)至
 

（3）步驟③中由濾液b獲得CuSO4?5H2O晶體需要經(jīng)過
 
、
 
、過濾、洗滌、干燥等操作．
（4）利用副產(chǎn)品制備Na2CO3時(shí)，應(yīng)向NaCl溶液中先通入（或先加入）
 
（填化學(xué)式）．
（5）為充分利用母液，某學(xué)生利用電解原理設(shè)計(jì)方案回收銅（如圖2所示）．銅將在
 
（填“A”或“B”）極析出．
（6）工業(yè)上利用廢銅、廢酸（含硝酸、硫酸）為主要原料也可以制備硫酸銅晶體．某含有C（HNO3）=2mol/L，C（H2SO4）=4mol/L的廢酸混合液100ml（不含其它酸或氧化劑），最多能制備硫酸銅晶體的質(zhì)量為
 
克．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列說法正確的是（　　）
A、強(qiáng)電解質(zhì)一定是離子化合物，弱電解質(zhì)一定是共價(jià)化合物
B、強(qiáng)電解質(zhì)一定是易溶于水的化合物，弱電解質(zhì)一定是難溶于水的化合物
C、CO2的水溶液導(dǎo)電能力很弱，所以CO2是弱電解質(zhì)
D、屬于共價(jià)化合物的電解質(zhì)在熔化狀態(tài)下一般不導(dǎo)電

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