【題目】Ⅰ.(1)研究鋼鐵的防腐蝕措施意義重大。利用如圖裝置
可以模擬鐵的電化學(xué)防護(hù),其中Y為NaCl。為減緩鐵的腐蝕:
①若X為碳棒,開關(guān)K應(yīng)置于 (填字母,下同)處。
②若X為鋅,開關(guān)K應(yīng)置于 處。
(2)在城市中地下常埋有縱橫交錯的管道和輸電線路,地上還鋪有地鐵、城鐵的鐵軌,當(dāng)有電流泄漏入潮濕的土壤中,并與金屬管道形成回路時,就會引起后者的腐蝕。為表示其原理,某班級的學(xué)生繪制了下列裝置圖(假設(shè)電極材料均為鐵,電解質(zhì)均為NaCl溶液)。
你認(rèn)為其中能合理模擬金屬管道的腐蝕原理的是 ;圖c中的總反應(yīng)方程式是 ;
Ⅱ.1 L某溶液中含有的離子如下表:
離子 | Cu2+ | Al3+ | Cl- | |
物質(zhì)的量濃度/(mol·L-1) | 2 | 1 | 4 | x |
用惰性電極電解該溶液,當(dāng)電路中有5 mol e-通過時,溶液的c(H+)= mol/L (忽略電解時溶液體積的變化及電極產(chǎn)物可能存在的溶解現(xiàn)象)。
【答案】Ⅰ.(1)①N ②M
(2)acd Fe+2H2OFe(OH)2+H2↑
Ⅱ.1
【解析】本題考查金屬的電化學(xué)腐蝕與防護(hù),電化學(xué)原理的綜合應(yīng)用。
Ⅰ.(1)①為減緩鐵的腐蝕,若利用原電池原理,則鐵作正極,若利用電解池原理,則鐵作陰極,所以若X為碳棒,開關(guān)K應(yīng)置于N處,形成電解池;②若X為鋅,開關(guān)K應(yīng)置于M處,形成原電池。
(2)根據(jù)題意,當(dāng)有電流泄漏入潮濕的土壤中,并與金屬管道形成回路時,會引起鋼鐵的腐蝕,則acd均符合該腐蝕原理,而b沒有形成閉合回路,不符合該腐蝕原理;圖c中陽極反應(yīng)為Fe-2e-Fe2+,陰極反應(yīng)為2H2O+2e-2OH-+ H2↑,則總反應(yīng)方程式為Fe+2H2OFe(OH)2+H2↑。
Ⅱ.根據(jù)電荷守恒,x=3,由離子的放電順序可知,陽極先是Cl-放電,然后是OH-放電,陰極先是Cu2+放電,然后是H+放電;根據(jù)轉(zhuǎn)移電子守恒可知,當(dāng)電路中有5 mol e-通過時,3 mol Cl-在陽極放電,然后1 mol H2O在陽極放電;2 mol銅在陰極放電,然后1 mol H+在陰極放電,此時溶液c(H+)=1 mol·L-1。
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【題目】下列有關(guān)試驗的做法不正確的是
A. 分液時,分液漏斗的上層液體應(yīng)由上口到出
B. 用加熱分解的方法區(qū)分碳酸鈉和碳酸氫鈉兩種固體
C. 配置0.1000 mol·L-1氫氧化鈉溶液時,將液體轉(zhuǎn)移到容量瓶中需用玻璃棒引流
D. 檢驗NH4+時,往試樣中加入NaOH溶液,微熱,用濕潤的藍(lán)色石蕊試紙檢驗逸出的氣體
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【題目】下列有關(guān)物質(zhì)性質(zhì)與用途具有對應(yīng)關(guān)系的是 ( )
A.Al2O3難溶于水,可用作耐高溫材料
B.晶體Si具有半導(dǎo)體性能,可用作光導(dǎo)纖維
C.SO2具有漂白性,可用于漂白紙張
D.ClO2具有還原性,可用于自來水的殺菌消毒
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【題目】如圖是學(xué)校實驗室從化學(xué)試劑商店買回的硫酸試劑標(biāo)簽上的部分內(nèi)容.據(jù)此下列說法正確的是( )
A.該硫酸試劑可以做干燥劑,干燥任何氣體
B.該硫酸與等體積的水混合所得溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)小于49%
C.配制200mL4.6molL﹣1的稀硫酸需取該硫酸50.0mL
D.常溫下,2.7gAl與足量的稀硫酸反應(yīng)得到H23.36L
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【題目】以下有關(guān)物質(zhì)的量濃度的敘述正確的是( )
A.等體積硫酸鐵、硫酸銅、硫酸鉀溶液分別與足量的氯化鋇溶液反應(yīng),若生成的硫酸鋇沉淀的質(zhì)量比為1:2:3,則三種硫酸鹽溶液的物質(zhì)的量濃度比為1:2:3
B.150 mL 1molL﹣1的氯化鉀溶液中的c(Cl﹣)與50 mL 1 molL﹣1的氯化鋁溶液中的c(Cl﹣) 相等
C.20℃時,飽和KCl溶液的密度為1.174gcm﹣3 , 物質(zhì)的量濃度為4.0 molL﹣1 , 則此溶液中KCl 的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25.38%
D.20℃時,100 g水可溶解34.2g KCl,此時KCl飽和溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為34.2%
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【題目】砷化鎵是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料,可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等。
(1)砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,則砷化鎵的化學(xué)式為________。
(2)基態(tài)As原子的核外電子排布式為____________。
(3)第一電離能:Ga______As(選填“>”或“<")。
(4)AsCl3分子的立體構(gòu)型為_______,其中As原子軌道的雜化類型為____。
(5)GaF3的熔點高于1000℃,GaCl3的熔點為77.9℃,其原因是_______。
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【題目】在容積為2 L的恒容密閉容器中,一定溫度下,發(fā)生反應(yīng):aM(g)+bN(g)cQ(g)。氣體M、N、Q的物質(zhì)的量隨時間的變化如右圖所示,則下列敘述正確的是( )
A. 體系平衡時與反應(yīng)起始時的壓強(qiáng)之比為3∶2
B. 平衡時,M的轉(zhuǎn)化率為50%,若條件改為恒溫恒壓,則達(dá)平衡時M的轉(zhuǎn)化率小于50%
C. 若開始時向容器中充入2 mol M和1 mol N,達(dá)到平衡時,M的體積分?jǐn)?shù)小于50%
D. 在5 min時,再向體系中充入少量He,重新達(dá)到平衡前v(正)>v(逆)
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