分析 (1)氮族元素的外圍電子為其最外層上s、p能級電子;基態(tài)磷原子中,電子占據的最高能層符號為M,該能層有1個s軌道、3個p軌道、5個d軌道;
(2)PH3分子中P原子價層電子對個數是4且含有一個孤電子對,根據價層電子對互斥理論判斷該分子的VSEPR模型,成鍵電子對和孤電子對之間的排斥力小于孤電子對之間的排斥力,據此判斷鍵角;
(3)氮的最高價氧化物為N2O5,由兩種離子構成,其中陰離子構型為平面正三角形,化學式應為NO3-,則其陽離子的化學式為:NO2+,根據價層電子對互斥理論判斷原子雜化方式;
(4)①分子晶體中分子間含有氫鍵的物質熔沸點較高;
②NF3中N-F成鍵電子對偏向于F原子,N原子上的孤對電子難與銅離子形成配離子;
(5)磷化硼結構如圖所示,該晶胞中B原子為4個、P原子個數=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,每個P原子連接4個B原子,每個B原子連接4個P原子,則硼原子的配位數為4;晶體中硼原子和磷原子的核間距(dB-P)等該晶胞體對角線的$\frac{1}{4}$,據此計算.
解答 解:(1)氮族元素的外圍電子為其最外層上s、p能級電子,則氮族元素外圍電子排布式為ns2np3;
基態(tài)磷原子中,電子占據的最高能層符號為M,該能層有1個s軌道、3個p軌道、5個d軌道,所以有9個軌道,
故答案為:ns2np3;M;9;
(2)PH3分子中P原子價層電子對個數是4且含有一個孤電子對,根據價層電子對互斥理論判斷該分子的VSEPR模型為四面體形,成鍵電子對和孤電子對之間的排斥力小于孤電子對之間的排斥力,氨氣分子中只含一個孤電子對、水分子中含有兩個孤電子對,所以鍵角NH3>H2O,
故答案為:四面體形;>;
(3)氮的最高價氧化物為N2O5,由兩種離子構成,其中陰離子構型為平面正三角形,化學式應為NO3-,則其陽離子的化學式為:NO2+,其中心原子價電子對數為$\frac{5-1}{2}$=2,根據價層電子對互斥理論判斷原子雜化方式為sp,
故答案為:sp;
(4)①NH3分子間存在氫鍵,作用力大,而NF3只存在分子間作用力,兩種作用力前者較強,物質的沸點較高,
故答案為:NH3能形成氫鍵,NF3只有范德華力;
②F的電負性大于N元素,NF3中N-F成鍵電子對偏向于F原子,N原子上的孤對電子難與銅離子形成配離子,所以NF3不易與Cu2+形成配離子,
故答案為:F的電負性大于N元素,NF3中N-F成鍵電子對偏向于F原子,N原子上的孤對電子難與銅離子形成配離子;
(5)磷化硼結構如圖所示,該晶胞中B原子為4個、P原子個數=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,每個P原子連接4個B原子,每個B原子連接4個P原子,則硼原子的配位數為4,晶體中硼原子和磷原子的核間距(dB-P)等該晶胞體對角線的$\frac{1}{4}$=$\frac{1}{4}\sqrt{3}$a=$\frac{1}{4}\sqrt{3}$×478pm=207pm,
故答案為:207.
點評 本題考查物質結構和性質,為高頻考點,涉及晶胞計算、氫鍵、鍵角、微?臻g構型、原子核外電子排布等知識點,側重考查學生知識應用、計算、空間想象能力,難點是晶胞計算,注意該晶胞中B-P原子核間距與體長關系,題目難度中等.
科目:高中化學 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學 來源: 題型:推斷題
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科目:高中化學 來源: 題型:推斷題
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科目:高中化學 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | ②③⑤⑥⑦ | B. | ③④⑤⑥⑦ | C. | ①②③⑤⑦⑥ | D. | ①③⑤⑥⑦ |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 羥基的電子式: | |
B. | 過氧化氫的電子式: | |
C. | As的原子的特征電子排布式:[Ar]4s14p3 | |
D. | 基態(tài)Mg原子的核外電子排布圖: |
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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題
A. | 1 L水中含有1 mol NaCl | |
B. | 溶液中含有1 mol NaCl | |
C. | 1 L溶液中含有1 molNaCl | |
D. | 將58.5 g NaCl溶于1 L水中所得的溶液 |
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科目:高中化學 來源: 題型:多選題
A. | 至少存在4種離子 | |
B. | Cl-一定存在,且c(Cl )≥0.4 mol/L | |
C. | SO42-、NH4+,一定存在,Cl-可能不存在 | |
D. | CO32-、Al3+一定不存在,K+可能存在 |
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