【題目】下列反應(yīng)既屬于非氧化還原反應(yīng),又是放熱反應(yīng)的是( )
A.鋅粒與稀硫酸的反應(yīng)
B.酸堿中和反應(yīng)
C.甲烷在氧氣中的燃燒反應(yīng)
D.Ba(OH)2·8H2O晶體與NH4Cl晶體的反應(yīng)
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【題目】下列描述中正確的是( )
A.CS2為V形的極性分子
B.ClO3﹣的空間構(gòu)型為平面三角形
C.SiF4和SO32﹣的中心原子均為sp2雜化
D.SF6中有6對相同的成鍵電子對
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【題目】把碎紙片b補充到a中,可得到一個完整的離子方程式(未配平)。下列說法正確的是( )
A. 反應(yīng)物微粒是S、SO、OH-
B. 該反應(yīng)可能在酸性條件下進(jìn)行
C. 氧化劑與還原劑的物質(zhì)的量之比為2∶1
D. 2 mol S參加反應(yīng)時,轉(zhuǎn)移的電子數(shù)為3NA
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【題目】氯氣是一種有毒氣體,在運輸和儲存過程中必須防止泄露。若儲存液氯的鋼瓶發(fā)生泄露,立即采取的措施中錯誤的是()
A.用浸有水的毛巾捂住口鼻B.將人群逆風(fēng)向疏散
C.將人群向低處疏散D.向泄露地點撒一些石灰
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【題目】有機物X是合成二氫荊芥內(nèi)酯的重要原料,其結(jié)構(gòu)簡式為 ,下列檢驗X中既含碳碳雙鍵又含醛基的試劑和順序正確的是( )
A.先加酸性高錳酸鉀溶液,后加銀氨溶液,加熱
B.先加溴水,后加酸性高錳酸鉀溶液
C.先加銀氨溶液,加熱,再加入溴水
D.先加入新制氫氧化銅懸濁液,加熱,取清液酸化后再加溴水
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【題目】圖中X、Y為單質(zhì),其他為化合物,它們之間存在如下轉(zhuǎn)化關(guān)系(部分產(chǎn)物已略去)。其中,A俗稱磁性氧化鐵。
回答下列問題:
(1)NaOH中存在的化學(xué)鍵的類型為_____________。
(2)寫出YD 的化學(xué)方程式:________________。
(3)寫出A和D的稀溶液反應(yīng)生成G的離子方程式:________________。
(4)向含4mol D的稀溶液中,逐漸加入X粉末至過量,假設(shè)生成的氣體只有一種,請在坐標(biāo)系中畫出n(X2+)隨n(X)變化的示意圖,并標(biāo)出n(X2+)的最大值_______。
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【題目】在CO2中,Mg燃燒生成MgO和C.下列說法正確的是( )
A.元素C的單質(zhì)只存在金剛石和石墨兩種同素異形體
B.Mg、MgO中鎂元素微粒的半徑:r(Mg2+)>r(Mg)
C.在該反應(yīng)條件下,Mg的還原性強于C的還原性
D.該反應(yīng)中化學(xué)能全部轉(zhuǎn)化為熱能
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【題目】工業(yè)合成氨的反應(yīng)如下:N2(g)+3H2(g)2NG3(g). 某溫度下,在容積恒定為2.0L的密閉容器中充入2.0molN2和2.0molH2 , 一段時間后反應(yīng)達(dá)平衡狀態(tài),實驗數(shù)據(jù)如下表所示:
t/s | 0 | 50 | 150 | 250 | 350 |
n(NH3) | 0 | 0.24 | 0.36 | 0.40 | 0.40 |
(1)0~50s內(nèi)的平均反應(yīng)速率 v(N2)= .
(2)250s時,H2的轉(zhuǎn)化率為
(3)已知N≡N的鍵能為946kJ/mol,H﹣H的鍵能為436kJ/mol,N﹣H的鍵能為391kJ/mol,則生成1molNH3過程中的熱量變化kJ.下圖能正確表示該反應(yīng)中能量變化的是 .
(4)為加快反應(yīng)速率,可以采取的措施 a.降低溫度 b.增大壓強 c.恒容時充入He氣d.恒壓時充入He氣 e.及時分離NH3
(5)下列說法錯誤的是 a.使用催化劑是為了加快反應(yīng)速率,提高生產(chǎn)效率
b.上述條件下,N2不可能100%轉(zhuǎn)化為NH3
c.為了提高N2的轉(zhuǎn)化率,應(yīng)適當(dāng)提高H2的濃度
d.250~350s生成物濃度保持不變,反應(yīng)停止.
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【題目】現(xiàn)有前四周期的5種元素的部分信息如下表所示:
元素代號 | 元素部分信息 |
X | X的陰離子核外電于云均呈球形 |
Y | 原子的能級上有3個未成對電子,其最簡單氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的最簡單氣態(tài)氫化物中最大 |
Z | 基態(tài)原于核外有3個能級填充了電子,能量最高能級的電子數(shù)等于前兩個能級的電子數(shù)之和 |
R | 元素原于的圍電子排布式為nsn-1npn-1 |
T | 一種核素的質(zhì)量數(shù)為65,中子數(shù)為36 |
根據(jù)上述元素信息,回答下列問題:
(1)基態(tài)T2+的電子排布式為____________。
(2)Y.Z.R 的電負(fù)性由大到小的順序為____________ (用元素符號表示)。
(3)YX4+的空間構(gòu)型為____________,離子中Y原子的雜化軌道類型為____________ ,YX4+電子式為________。
(4)YX3的一種等電子體分子是______,YX3 的鍵角大于X2Z的鍵角的主要原因是________。
(5)T單質(zhì)不溶于YX3溶液,也不溶于X2Z溶液,但能溶于它們的混合溶液,其主要原因是形成了穩(wěn)定的[T(YX3)4]2+,1mol該陽離子中共含有______mol σ鍵。
(6)Z、T組成的晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示。已知Z、T原子的半徑分別為apm、bpm,晶胞邊長為cpm,則該晶胞中原子的空間利用率為________(用代數(shù)式表示)。
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