【題目】在容積可變的密閉容器中存在如下反應:CO(g)+H2O(g)CO2(g)+H2(g)△H<0,下列對圖象的分析中不正確的是(

A.圖Ⅰ研究的是t0時升高溫度對反應速率的影響
B.圖Ⅱ研究的是t0時增大壓強(縮小體積)或使用催化劑對反應速率的影響
C.圖Ⅲ研究的是催化劑對化學平衡的影響,且甲使用了催化劑
D.圖Ⅲ研究的是溫度對化學平衡的影響,且乙的溫度較高

【答案】C
【解析】解:A.圖Ⅰ正逆反應速率均增大,且逆反應速率大于正反應速率,該反應為放熱反應,則改變的條件為升溫,故A正確;
B.圖Ⅱ中正逆反應速率同等程度的增大,該反應為體積不變的反應,則改變的條件為增大壓強(縮小體積)或使用催化劑,故B正確;
C.圖Ⅲ中乙先達到平衡狀態(tài),但甲、乙的轉化率不同,不是催化劑的原因,應為乙的溫度高,故C錯誤;
D.圖Ⅲ中乙先達到平衡狀態(tài),且乙中CO的轉化率小,該反應為放熱反應,則乙的溫度高,故D正確;
故選C.
A.圖Ⅰ正逆反應速率均增大,且逆反應速率大于正反應速率;
B.圖Ⅱ中正逆反應速率同等程度的增大;
C.圖Ⅲ中乙先達到平衡狀態(tài);
D.圖Ⅲ中乙先達到平衡狀態(tài),且乙中CO的轉化率。

練習冊系列答案
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科目:高中化學 來源: 題型:

【題目】已知某可逆反應mA(g)+nB(g)pC(g),在密閉容器中進行,如圖表示在不同反應時間t、溫度T和壓強P與反應物B在混合氣體中的百分含量B%的關系曲線,由曲線分析,下列判斷正確的是(

A.T1<T2、P1>P2、m+n>p,△H<0
B.T1>T2、P1<P2、m+n>p,△H>0
C.T1>T2、P1<P2、m+n<p,△H>0
D.T1<T2、P1>P2、m+n<p,△H<0

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【題目】實驗室以一種工業(yè)廢渣(主要成分為MgCO3、MgSO4和少量Fe、Al的氧化物)為原料制備MgCO33H2O.實驗過程如圖1

(1)酸溶需加熱的目的是;過濾時用到的玻璃儀器有
(2)加入H2O2氧化時發(fā)生發(fā)應的離子方程式為
(3)用如圖2所示的實驗裝置進行萃取和分液,以除去溶液中的Fe3+

①實驗裝置圖2中儀器A的名稱為
②為使Fe3+盡可能多地從水相轉移至有機相,采取的操作:向裝有溶液的儀器A中加入一定量的有機萃取劑,、靜置、分液,并重復多次.

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【題目】火藥是中國古代四大發(fā)明之一,由硫磺、火硝和木炭粉均勻混合而成,點燃后可能發(fā)生的反應:S+2KNO3+3C=N2↑+3CO2↑+X(已配平),則物質X是

A. K2S B. SO2 C. H2S D. SO3

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【題目】氨氣遇氯氣時,有白煙出現(xiàn),發(fā)生的反應可能有

①2NH3+3Cl2=6HCl+N2 ②NH3+HCl= NH4Cl

下列說法正確的是

A. ①為化合反應 B. ②為置換反應 C. ①為氧化還原反應 D. ②為復分解反應

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【題目】實驗室里常用Na2O2H2O反應快速制取少量的O2,下面裝置用來制取O2并演示NaO2中的燃燒實驗。

1關閉裝置中的止水夾a后,開啟活塞b,漏斗中液體不斷地往下滴,直至全部流入試管。試判斷裝置是否漏氣________(漏氣不漏氣無法確定”)

2寫出C裝置中反應的化學方程式:_________

3若裝置是不漏氣的,打開止水夾a后,用上述裝置進行實驗。寫出A中發(fā)生反應的化學方程式,并用雙線橋標出化合價變化情況、電子轉移的方向和數(shù)目及被氧化還原情況 _________

4B裝置中盛放的試劑是__________,其作用是___________ D儀器名稱是 _____

5Fe(OH)2 在潮濕空氣中變成灰綠色、紅褐色:_________

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科目:高中化學 來源: 題型:

【題目】A、B、C是單質,其中A是金屬,各種物質間的轉化關系如圖:

根據(jù)圖示轉化關系回答:

1寫出下列物質的化學式。

A________,B________,甲_________,乙________。

2寫出下列變化的化學方程式。

ANaOH溶液反應的化學方程式________________________________。

②甲與NaOH溶液反應的離子方程式________________________________

3將一定量的A加入到NaOH溶液中,產(chǎn)生的C在標準狀況下的體積為3.36 L,則消耗的A的物質的量為________,轉移電子的物質的量為________

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【題目】向鐵銅合金中加入過量的硝酸溶液,得到NO2、N2O4、NO混合氣體,向反應后溶液中加入2mol/LNaOH溶液,至沉淀恰好完全.若將得到的NO2、N2O4、NO混合氣體,與2.24L(標準狀況下)O2混合后通入水中恰好被完全吸收生成硝酸.則反應中消耗的NaOH溶液的體積是(
A.150ml
B.180ml
C.200ml
D.250ml

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【題目】硅單質及其化合物應用范圍很廣。請回答下列問題:

1制備硅半導體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:

寫出由石英砂和焦炭在高溫下制備粗硅的化學反應方程式:_____________。

整個制備過程必須嚴格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應生成H2SiO3、HCl和另一種氣體寫出配平的化學反應方程式: _____________;H2還原SiHCl3過程中若混入O2,可能引起的后果是______________

2下列有關硅材料的說法正確的是_____________ (填字母代號)。

A.氮化硅硬度大、熔點高,可用于制作高溫陶瓷和軸承

B.石英坩堝耐高溫性強,可用于加熱熔融氫氧化鈉

C.神舟10號飛船所用太陽能電池板可將光能轉換為電能,所用轉換材料單晶硅也可以制作電腦芯片

D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點很高

E.鹽酸可以與硅反應故可采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

F.瑪瑙飾品的主要成分與建筑材料砂子相同

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