【答案】
分析:根據(jù)元素周期表知,a-o各元素分別是H、Li、C、N、O、F、Na、Mg、Al、Si、S、Cl、Ar、K、Fe.
(1)鐵屬于第四周期 第VIII族.
(2)第三周期8種元素的單質(zhì)中只有Si為原子晶體,熔沸點(diǎn)最大,熔沸點(diǎn)為原子晶體>金屬晶體>分子晶體,分子晶體有氬、氯氣、S、磷,在分子晶體中Ar只有分子間作用力,沸點(diǎn)最低,氯氣、S、磷中只有氯氣為氣體,其熔沸點(diǎn)在三者中最。
根據(jù)晶體類型判斷物質(zhì)的熔沸點(diǎn)高低,單質(zhì)熔沸點(diǎn)高低順序?yàn)椋涸泳w>金屬晶體>分子晶體;非金屬性越強(qiáng)的元素其電負(fù)性越大.
(3)原子晶體中,鍵長越短,化學(xué)鍵越強(qiáng),物質(zhì)的熔點(diǎn)越高.
(4)k與l形成的化合物kl
2是共價(jià)化合物,原子之間形成共價(jià)鍵,根據(jù)共價(jià)化合物電子式的書寫規(guī)則書寫;常溫下呈液態(tài)的物質(zhì)形成的晶體為分子晶體.
(5)利用均攤法計(jì)算晶胞中含有的原子個數(shù);先根據(jù)已知的原子半徑計(jì)算晶胞的體積,根據(jù)該原子的相等原子質(zhì)量計(jì)算晶胞中含有原子的質(zhì)量,再根據(jù)密度公式計(jì)算其密度.
(6)a與d構(gòu)成的陽離子是銨根離子,i的陽離子是鋁離子,a與d構(gòu)成的陽離子和i的陽離子可與硫酸根形成一種復(fù)鹽,向該鹽的濃溶液中逐滴加人濃氫氧化鋇溶液,產(chǎn)生的現(xiàn)象有①溶液中出現(xiàn)白色沉淀并伴有有刺激性氣味氣體放出,說明生成氫氧化鋁和氨氣;②沉淀逐漸增多后又逐漸減少直至最終沉淀的量不變說明生成偏鋁酸鹽和硫酸鋇.
解答:解:根據(jù)元素周期表知,a-o各元素分別是H、Li、C、N、O、F、Na、Mg、Al、Si、S、Cl、Ar、K、Fe.
(1)通過以上分析知:O是Fe元素,在周期表中處于第四周期、第VIII族.
故答案為:Fe元素;第四周期、第VIII族.
(2)第三周期8種元素的單質(zhì)中只有Si為原子晶體,熔沸點(diǎn)最大,由圖可知序號“8”代表的為Si,分子晶體的沸點(diǎn)較低,非金屬性越強(qiáng)的電負(fù)性越大,分子晶體有氬、氯氣、S、磷,在分子晶體中Ar只有分子間作用力,沸點(diǎn)最低,氯氣、S、磷中只有氯氣為氣體,其熔沸點(diǎn)在三者中最小,由圖可知,序號“2”代表的為Cl,其電負(fù)性最大,
故答案為:Si;2.
(3)由j原子跟c原子以1:1相互交替結(jié)合而形成的晶體為SiC,SiC晶型與晶體Si相同,都是原子晶體,由于C的原子半徑小,SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵長短,C-Si鍵能大,因而SiC晶體熔沸點(diǎn)高.
故答案為:Si-C;因SiC晶體與晶體Si都是原子晶體,由于C的原子半徑小,SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵長短,鍵能大,因而熔沸點(diǎn)高.
(4)k與l形成的化合物kl
2是SCl
2,硫原子一氯原子之間形成1對共用電子對,電子式為
;SCl
2常溫下呈液態(tài),SCl
2屬于分子晶體.
故答案為:
;分子晶體.
(5)由晶胞結(jié)構(gòu)可知,晶胞中i原子的數(shù)目為8×
+6×
=4;由信息可知晶胞圖可知為面心立方,設(shè)棱長為x,所以2x
2=(4d)
2,所以x=2
d,即正方體的棱長為2
d,正方體的體積為16
d
3,該晶胞中原子的質(zhì)量=4
,所以其密度=
=
.
故答案為:4;
.
(6)a與d構(gòu)成的陽離子是銨根離子,i的陽離子是鋁離子,a與d構(gòu)成的陽離子和i的陽離子可與硫酸根形成一種復(fù)鹽,向該鹽的濃溶液中逐滴加人濃氫氧化鋇溶液,產(chǎn)生的現(xiàn)象有①溶液中出現(xiàn)白色沉淀并伴有有刺激性氣味氣體放出,說明生成氫氧化鋁、硫酸鋇和氨氣;②沉淀逐漸增多后又逐漸減少直至最終沉淀的量不變說明氫氧化鋁和氫氧化鋇反應(yīng)生成偏鋁酸鹽,所以離子方程式為:NH
4++Al
3++5OH
-+2SO
42-+2Ba
2+=NH
3↑+3H
2O+AlO
2-+2BaSO
4↓.
故答案為:NH
4++Al
3++5OH
-+2SO
42-+2Ba
2+=NH
3↑+3H
2O+AlO
2-+2BaSO
4↓.
點(diǎn)評:本題考查了晶體類型與單質(zhì)熔沸點(diǎn)的關(guān)系、晶體的密度等知識點(diǎn),難點(diǎn)是計(jì)算晶體的密度,能正確確定晶胞中含有的原子個數(shù)及晶胞的體積是解其題的關(guān)鍵;明確相同類型的晶體中熔沸點(diǎn)高低的判斷方法.