2012年5月,日本科學(xué)家開(kāi)發(fā)出制作單層硅分子薄膜技術(shù),如圖所示:在硅板表面覆蓋陶瓷薄層,持續(xù)加熱一段時(shí)間后,硅板中的硅分子居然能穿透陶瓷薄層從而形成單層硅分子薄膜.加熱使得硅分子穿透陶瓷薄膜,這說(shuō)明:___________________;________________________

分子不停的做無(wú)規(guī)則運(yùn)動(dòng);溫度越高分子運(yùn)動(dòng)越劇烈(分子間存在間隙).
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    分子不停的做無(wú)規(guī)則運(yùn)動(dòng)
    分子不停的做無(wú)規(guī)則運(yùn)動(dòng)
    ;
    溫度越高分子運(yùn)動(dòng)越劇烈
    溫度越高分子運(yùn)動(dòng)越劇烈

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    引力
    引力
    ;鐵塊很難被壓縮,說(shuō)明分子間存在
    斥力
    斥力
    .2012年5月,日本科學(xué)家開(kāi)發(fā)出制作單層硅分子薄膜技術(shù),在硅板表面覆蓋陶瓷薄層,持續(xù)加熱一段時(shí)間后,硅板中的硅分子居然能穿透陶瓷薄層從而形成單層硅分子薄膜.加熱使得硅分子穿透陶瓷薄膜,這說(shuō)明:
    分子不停的做無(wú)規(guī)則運(yùn)動(dòng)
    分子不停的做無(wú)規(guī)則運(yùn)動(dòng)
    ;
    溫度越高分子運(yùn)動(dòng)越劇烈
    溫度越高分子運(yùn)動(dòng)越劇烈

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