下表數(shù)據(jù)是在某溫度下,金屬鎂和鎳(Ni)分別在氧氣中進(jìn)行氧化反應(yīng)時(shí),在金屬表面生成氧化薄膜的實(shí)驗(yàn)記錄:
反應(yīng)時(shí)間/h1491625
MgO層厚/nm0.05a0.2a0.45a0.8a1.25a
NiO層厚/nmb2b3b4b5b
注:a和b均為與溫度有關(guān)的常數(shù),nm表示“納米”
請(qǐng)回答:
Mg與Ni比較,哪一種更易氧化?________,其理由是________.
如果用Y表示氧化薄膜層厚,用t表示形成氧化薄膜層厚所需時(shí)間,Y和t的關(guān)系分別為________,________.

Mg    氧化鎂厚度增加的速度比氧化鎳快    Y=0.05at    Y=b
分析:根據(jù)題干提供的信息進(jìn)行分析,表格中的數(shù)據(jù)表明隨著時(shí)間的增多,金屬表面的氧化物薄膜越來越后,但是增加的速度在不斷的減慢,根據(jù)厚度的變化即可得到氧化速度的快慢.
解答:開始時(shí)氧化鎂厚度增加的速度為:=4,而氧化鎳厚度增加的速度為:=2,所以鎂比鎳更容易氧化,所以本題答案為:Mg,氧化鎂厚度增加的速度比氧化鎳快;
根據(jù)表中數(shù)據(jù)可以看出,時(shí)間為1時(shí),氧化鎂增加厚度為0.05a,所以Y與t的關(guān)系為Y=0.05at,氧化鎳增加的厚度為b,時(shí)間為4時(shí),氧化鎳的厚度為2b,所以Y與t的關(guān)系為Y=b,所以本題答案為:Y=0.05at,Y=b.
點(diǎn)評(píng):本題考查了金屬氧化的速度,完成此題,可以依據(jù)表格提供的信息,根據(jù)已有的知識(shí)進(jìn)行.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:初中化學(xué) 來源: 題型:

下表數(shù)據(jù)是在某溫度下,金屬鎂和鎳(Ni)分別在氧氣中進(jìn)行氧化反應(yīng)時(shí),在金屬表面生成氧化薄膜的實(shí)驗(yàn)記錄:
反應(yīng)時(shí)間/h 1 4 9 16 25
MgO層厚/nm 0.05a 0.2a 0.45a 0.8a 1.25a
NiO層厚/nm b 2b 3b 4b 5b
注:a和b均為與溫度有關(guān)的常數(shù),nm表示“納米”
請(qǐng)回答:
Mg與Ni比較,哪一種更易氧化?
Mg
Mg
,其理由是
氧化鎂厚度增加的速度比氧化鎳快
氧化鎂厚度增加的速度比氧化鎳快

如果用Y表示氧化薄膜層厚,用t表示形成氧化薄膜層厚所需時(shí)間,Y和t的關(guān)系分別為
Y=0.05at
Y=0.05at
,
Y=
t
b
Y=
t
b

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科目:初中化學(xué) 來源: 題型:022

下表數(shù)據(jù)是在某溫度下,金屬鎂和鎳(Ni)分別在氧氣中進(jìn)行氧化反應(yīng)時(shí),在金屬表面形成氧化膜的實(shí)驗(yàn)記錄:

注:ab均為與溫度有關(guān)的常數(shù),nm表示“納米”請(qǐng)回答:鎂與鎳相比,哪一種更易氧化?________.其理由是______________________

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科目:初中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

下表數(shù)據(jù)是在某溫度下,金屬鎂和鎳(Ni)分別在氧氣中進(jìn)行氧化反應(yīng)時(shí),在金屬表面生成氧化薄膜的實(shí)驗(yàn)記錄:
反應(yīng)時(shí)間/h 1 4 9 16 25
MgO層厚/nm 0.05a 0.2a 0.45a 0.8a 1.25a
NiO層厚/nm b 2b 3b 4b 5b
注:a和b均為與溫度有關(guān)的常數(shù),nm表示“納米”
請(qǐng)回答:
Mg與Ni比較,哪一種更易氧化?______,其理由是______.
如果用Y表示氧化薄膜層厚,用t表示形成氧化薄膜層厚所需時(shí)間,Y和t的關(guān)系分別為______,______.

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科目:初中化學(xué) 來源:2010年湖北省鄂州高中自主招生考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

下表數(shù)據(jù)是在某溫度下,金屬鎂和鎳(Ni)分別在氧氣中進(jìn)行氧化反應(yīng)時(shí),在金屬表面生成氧化薄膜的實(shí)驗(yàn)記錄:
反應(yīng)時(shí)間/h1491625
MgO層厚/nm0.05a0.2a0.45a0.8a1.25a
NiO層厚/nmb2b3b4b5b
注:a和b均為與溫度有關(guān)的常數(shù),nm表示“納米”
請(qǐng)回答:
Mg與Ni比較,哪一種更易氧化?    ,其理由是   
如果用Y表示氧化薄膜層厚,用t表示形成氧化薄膜層厚所需時(shí)間,Y和t的關(guān)系分別為       

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