硅是信息技術(shù)關(guān)鍵材料,常用如圖所示的方法制取純硅:

(1)圖中①、③發(fā)生了置換反應(yīng),②發(fā)生了化合反應(yīng).寫出②和③的化學(xué)反應(yīng)方程式:
 
;
 

(2)完成一種表示置換反應(yīng)的通式:單質(zhì)(Ⅰ)+化合物(Ⅰ)=單質(zhì)(Ⅱ)+
 

根據(jù)已學(xué)知識填表.
單質(zhì)(Ⅰ) 單質(zhì)(Ⅱ) 相應(yīng)的置換反應(yīng)的化學(xué)方程式(各舉一例)
A 金屬 非金屬
 
B 金屬(Ⅰ) 金屬(Ⅱ)
 
C 非金屬 金屬
 
D
 
 
SiO2+2C
 高溫、電爐 
.
 
Si+2CO↑
考點:物質(zhì)的相互轉(zhuǎn)化和制備,置換反應(yīng)及其應(yīng)用,書寫化學(xué)方程式、文字表達式、電離方程式
專題:物質(zhì)的制備
分析:根據(jù)反應(yīng)物和生成物及其質(zhì)量守恒定律可以書寫化學(xué)方程式;置換反應(yīng)是指由一種單質(zhì)和一種化合物反應(yīng),生成另外一種單質(zhì)和一種化合物的反應(yīng),書寫置換反應(yīng)的化學(xué)方程式時,選擇的單質(zhì)要符合題目要求的種類.
解答:(1)②硅與氯氣在加熱下反應(yīng)生成四氯化硅,反應(yīng)的化學(xué)方程式為:Si+2Cl2
  △  
.
 
SiCl4
③SiCl4與氫氣在高溫下反應(yīng)生成硅和氯化氫,反應(yīng)的化學(xué)方程式為:SiCl4+2H2
 高溫 
.
 
Si+4HCl;
(2)單質(zhì)(I)+化合物(I)=單質(zhì)(Ⅱ)+化合物(Ⅱ).故填:化合物(Ⅱ);
A.金屬單質(zhì)鎂和稀鹽酸反應(yīng)能生成氯化鎂和非金屬單質(zhì)氫氣.故填:Mg+2HCl═MgCl2+H2↑;
B.金屬單質(zhì)鐵和硫酸銅反應(yīng)能生成硫酸亞鐵和金屬單質(zhì)銅.故填:Fe+CuSO4═FeSO4+Cu;
C.非金屬單質(zhì)碳能和氧化鐵反應(yīng)生成二氧化碳和金屬單質(zhì)鐵.故填:3C+2Fe2O3
 高溫 
.
 
4Fe+3CO2↑;
D.非金屬單質(zhì)碳能和二氧化硅反應(yīng)生成一氧化碳和非金屬單質(zhì)硅.故填:非金屬;非金屬.
故答案為:(1)①Si+2Cl2
  △  
.
 
SiCl4;②SiCl4+2H2
 高溫 
.
 
Si+4HCl;(2)化合物(Ⅱ);
單質(zhì)(Ⅰ) 單質(zhì)(Ⅱ) 相應(yīng)的置換反應(yīng)的化學(xué)方程式(各舉一例)
A 金屬 非金屬 Si+2Cl2
  △  
.
 
SiCl4
B 金屬(Ⅰ) 金屬(Ⅱ) Fe+CuSO4═FeSO4+Cu
C 非金屬 金屬 3C+2Fe2O3
 高溫 
.
 
4Fe+3CO2↑.
D 非金屬 非金屬 SiO2+2C
 高溫、電爐 
.
 
Si+2CO↑
點評:本題主要考查置換反應(yīng)的含義和化學(xué)方程式的書寫方法等方面的知識,書寫化學(xué)方程式時一定要遵循質(zhì)量守恒定律.
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A、B、C、D都是初中化學(xué)中的常見物質(zhì),具有如圖所示的轉(zhuǎn)化關(guān)系(反應(yīng)條件,其他反應(yīng)物及多余產(chǎn)物均已略去):若A可用來改良酸性土壤,A與其他物質(zhì)反應(yīng)生成B、C,C是氧化物.則 A、B、C、D四種物質(zhì)名稱分別是:
  A
 
;B
 
;C
 
;D
 

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現(xiàn)有下列A、B、C、D、E五種實驗裝置:

(1)寫出標號儀器的名稱:①
 
;②
 
;
(2)將裝置的序號填入下列空格中.
①加熱高錳酸鉀制取氧氣,其發(fā)生裝置為
 
,但還需要對所選發(fā)生裝置進行如何改進
 
.反應(yīng)的文字或符號表達式:
 
,屬于
 
反應(yīng)(填基本反應(yīng)類型:化合或分解).
②用過氧化氫溶液與二氧化錳制取氧氣,其發(fā)生裝置為
 

③實驗室收集氧氣的方法有兩種.由于氧氣的密度比空氣的大,可以選擇收集裝置
 
,該收集的方法叫
 
;由于氧氣不易溶于水,可以選擇的收集裝置
 
(填序號),收集較純凈的氧氣最好用
 
裝置.

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①2H
 
;②O2
 
;③Mg2+
 

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①Cl
 
、
 
;②2Fe
 
、③nS
 

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