硅元素的符號為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料.用化學(xué)方法可制得高純硅,其化學(xué)方程式為:①SiO2+2CSi+2CO②Si+2Cl2SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HC,上述反應(yīng)中,反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于( )
A.化合反應(yīng)
B.分解反應(yīng)
C.置換反應(yīng)
D.都不是
【答案】分析:認真分析各反應(yīng)物與生成物的特點與數(shù)量,來確定反應(yīng)的類型:化合反應(yīng)的特點為“多變一”,分解反應(yīng)的特點為“一變多”,置換反應(yīng)的特點為“單質(zhì)+化合物═單質(zhì)+化合物”,復(fù)分解反應(yīng)的特點為“化合物+化合物═化合物+化合物,且兩種反應(yīng)物相互交換成分”.然后根據(jù)具體的化學(xué)方程式進行分析、判斷,從而得出正確的結(jié)論.
解答:解:由化學(xué)方程式可知,①③反應(yīng)中的反應(yīng)物和生成物都是一種單質(zhì)和一種化合物,屬于置換反應(yīng);②中的反應(yīng)物是兩種,生成物是一種,屬于化合反應(yīng).
故選A
點評:解答本題要掌握反應(yīng)類型的判斷方法,只有這樣才能對各種反應(yīng)類型做出正確的判斷.
練習(xí)冊系列答案
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科目:初中化學(xué) 來源: 題型:

硅元素的符號為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料.用化學(xué)方法可制得高純硅,其化學(xué)方程式為:①SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO②Si+2Cl2
 點燃 
.
 
SiCl4③SiCl4+2H2
  △  
.
 
Si+4HC,上述反應(yīng)中,反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于( 。
A、化合反應(yīng)B、分解反應(yīng)
C、置換反應(yīng)D、都不是

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科目:初中化學(xué) 來源:鎮(zhèn)江 題型:單選題

硅元素的符號為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料.用化學(xué)方法可制得高純硅,其化學(xué)方程式為:①SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO②Si+2Cl2
 點燃 
.
 
SiCl4③SiCl4+2H2
  △  
.
 
Si+4HC,上述反應(yīng)中,反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于(  )
A.化合反應(yīng)B.分解反應(yīng)C.置換反應(yīng)D.都不是

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科目:初中化學(xué) 來源:《6.1 金剛石、石墨和C60》2010年同步練習(xí)(5)(解析版) 題型:選擇題

硅元素的符號為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料.用化學(xué)方法可制得高純硅,其化學(xué)方程式為:①SiO2+2CSi+2CO②Si+2Cl2SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HC,上述反應(yīng)中,反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于( )
A.化合反應(yīng)
B.分解反應(yīng)
C.置換反應(yīng)
D.都不是

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科目:初中化學(xué) 來源:2005年廣東省廣州市海珠區(qū)中考化學(xué)一模試卷(解析版) 題型:選擇題

硅元素的符號為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料.用化學(xué)方法可制得高純硅,其化學(xué)方程式為:①SiO2+2CSi+2CO②Si+2Cl2SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HC,上述反應(yīng)中,反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于( )
A.化合反應(yīng)
B.分解反應(yīng)
C.置換反應(yīng)
D.都不是

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科目:初中化學(xué) 來源:2004年江蘇省鎮(zhèn)江市中考化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題

硅元素的符號為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料.用化學(xué)方法可制得高純硅,其化學(xué)方程式為:①SiO2+2CSi+2CO②Si+2Cl2SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HC,上述反應(yīng)中,反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于( )
A.化合反應(yīng)
B.分解反應(yīng)
C.置換反應(yīng)
D.都不是

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