9、用化學(xué)方法可制得高純度硅有關(guān)化學(xué)反應(yīng)方程式為:①SiO2+2C═Si+2CO↑  ②Si+2C12═SiCl4 ③SiCl4+2H2═Si+4HCl,其中①、③的反應(yīng)類型屬于( 。
分析:掌握基本反應(yīng)類型的特點(diǎn)和判定方法:
化合反應(yīng)的特點(diǎn):通俗一點(diǎn)就是“多變一,即A+B→AB”即反應(yīng)后多種化合物轉(zhuǎn)變成一種化合物.
置換反應(yīng)的特點(diǎn):“單換單”即一種單質(zhì)置換出另一種單質(zhì):A單質(zhì)+BC→B單質(zhì)+AC,其中A,B為單質(zhì),BC為化合物.
解答:解:制高純度硅有關(guān)化學(xué)反應(yīng)方程式為:①SiO2+2C═Si+2CO↑;②Si+2C12═SiCl4;③SiCl4+2H2═Si+4HCl,其中①、③的反應(yīng)符合“A單質(zhì)+BC→B單質(zhì)+AC”的特點(diǎn),為置換反應(yīng);反應(yīng)②符合“多變一,即A+B→AB”的特點(diǎn),為化合反應(yīng).
故選C.
點(diǎn)評(píng):掌握基本反應(yīng)類型的主要特點(diǎn)和判定方法,學(xué)會(huì)利用其特點(diǎn)正確處理實(shí)際題目.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:初中化學(xué) 來源: 題型:

8、單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料.科學(xué)家預(yù)計(jì),到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管,其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大得多,這對(duì)硅的純度要求很高.用化學(xué)方法可制得高純硅,其化學(xué)方程式為:
①SiO2+2C=Si+2CO↑  ②Si+2Cl2=SiCl4 ③SiCl4+2H2=Si+4HCl其中,反應(yīng)①和③屬于( 。

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科目:初中化學(xué) 來源: 題型:

硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料.用化學(xué)方法可制得高純硅,其化學(xué)方程式為:①SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO②Si+2Cl2
 點(diǎn)燃 
.
 
SiCl4③SiCl4+2H2
  △  
.
 
Si+4HC,上述反應(yīng)中,反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于(  )
A、化合反應(yīng)B、分解反應(yīng)
C、置換反應(yīng)D、都不是

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科目:初中化學(xué) 來源:《6.1 金剛石、石墨和C60》2010年同步練習(xí)(5)(解析版) 題型:選擇題

硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料.用化學(xué)方法可制得高純硅,其化學(xué)方程式為:①SiO2+2CSi+2CO②Si+2Cl2SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HC,上述反應(yīng)中,反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于( )
A.化合反應(yīng)
B.分解反應(yīng)
C.置換反應(yīng)
D.都不是

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科目:初中化學(xué) 來源:2005年廣東省廣州市海珠區(qū)中考化學(xué)一模試卷(解析版) 題型:選擇題

硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料.用化學(xué)方法可制得高純硅,其化學(xué)方程式為:①SiO2+2CSi+2CO②Si+2Cl2SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HC,上述反應(yīng)中,反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于( )
A.化合反應(yīng)
B.分解反應(yīng)
C.置換反應(yīng)
D.都不是

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科目:初中化學(xué) 來源:2004年江蘇省鎮(zhèn)江市中考化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題

硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料.用化學(xué)方法可制得高純硅,其化學(xué)方程式為:①SiO2+2CSi+2CO②Si+2Cl2SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HC,上述反應(yīng)中,反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于( )
A.化合反應(yīng)
B.分解反應(yīng)
C.置換反應(yīng)
D.都不是

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